一、多自由度系统的动力学方程 作用力方程（刚度矩阵质量矩阵） 位移方程（柔度矩阵） 耦合与坐标变换 二、多自由度系统的自由振动 固有频率 模态（主振型） 模态正交性、主质量和主刚度 三、多自由度系统的受迫振动 系统对简谐力激励的响应 动力吸振器 模态叠加法在受迫振动中的应用

4.1 文件系统结构 4.2 文件系统算法 主要包括以下几项： 分配活动索引节点 释放活动索引节点 逻辑位移量到文件系统块的映射 把路径名转换为索引节点 给新文件分配磁盘i节点 释放磁盘i节点

一、作用、地位、现状 二、机械工程领域中测试内容 三、测试系统的组成 四、测试技术的发展趋势

一、静态特性 二、动态特性 三、不失真测试条件 四、测试系统的动态误差

一、时间序列的定义 二、时序的时域特征值 三、时序的相关分析 四、时序的功率谱分析

一、剔除数据中的“奇异项” 二、去除数据中的电平漂移 三、去除 / 提取趋势项 四、测量数据的平滑滤波

一. 学习指导课设置的目的和意义 二. 专业人才培养计划和学分制的特点 三. 学分和学分绩 四. 毕业和学位的要求 五. 选课、免修、补考和重修 六. 学籍管理 七. 纪律处分 八. 双专业、双学位和拔尖学生培养 九. 小结

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术