2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

附B元器件清单 序号名称 型号及规格单数量封装形式 变压器 副边双12V只 接成电压为24V 12334 整流桥 lA、100V QAO制作封装

1、试用上升沿D触发器组成一个4位二进制异步加法计数器并画出波形图 2、试用上升沿D触发器组成一个4位二进制异步减法计数器并画出波形图

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3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.1.3BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数

场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件

3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散

1．什么是单稳态触发器 触发脉冲未到来时----稳态 触发脉冲到来时 ----暂稳态----经tW----稳态 输出为幅度、宽度固定的矩形脉冲

自测题 一、(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√ 二、(1)AA(2)DA(3)BA(4)DB(5)CB 三、(1)BD(2)C(3)A(4)AC(5)B(6)C

4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理