4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

一、发射区向基区注入电子 二、电子在基区中边扩散边复合 三、扩散到集电结的电子被集电区收集

2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

习题 3-5-3 射极偏置电路和 BJT 的输出特性曲线如图题 3.5.3 所示，已知 =60。 （1）分别用估算公式和图解法求 Q 点； （2）求输入电阻 rbe； （3）用小信号模型分析电压增益

▪1、PN结的原理和二极管的等效电路。 ▪2、半导体内部载流子运动规律。 ▪3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应 管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线

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1.学习由运放组成的RC正弦波发生器和方波发生器工作原理及参数计算。 2.学习用示波器观测波形

9-1OTL电路如图P9-1所示。已知Uc=UE=20V,负载R1=8,并忽略功率

1.学习电子电路实验中常用的电子仪器一示波器（DS5022M）、函数信号发生器（YB1600）、在流稳压电源、交流毫伏表（YB2172）、频率计等的主要技术指标、性能及正确使用方法。2.学会用常用电子仪器测量放大器的基本参数（输入电阻、输出电阻、放大倍数）。3.学会用示波器观察放大器的输入、输出波形，并分析失真情况