第一节 氧、氮原子上的酰化反应 第二节 碳原子上的酰化反应 第三节 α，β环氧烷基化反应 第四节 环加成反应

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

本讲要点： 双轴应力状态的概念； 双轴莫尔圆及其物理意义； 有关应变的一些基本概念； 应变椭球体及其地质意义；

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[本章概要] 11.1数据库应用体系架构 11.2中间件技术 11.3典型的数据库应用系统开发工具 11.4 Visual Basic和AD(Windows应用) 11.5ASP程序设计(Web应用)