一、概述 表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

重点内容 一、正数的十进制、二进制、八进制、十六进制表示,以及它们之间的相互转换 二、符号数的S-M码、补码、反码表示,以及它们之间的相互转换; 带符号数的补码的加减运算

第8章时序逻辑设计实践(二) 一、S型锁存器和触发器 二、M器件:计数器、移位寄存器 三、其它:文档、迭代、故障和亚稳定性

第6章组合逻辑电路设计实例 一、桶式移位器 二、简单浮点编码器 三、双优先级编码器 四、级联比较器 五、关模比较器

本章重点 1.1电路和电路模型 1.2电流和电压的参考方向1.6电压源和电流源 1.3电功率和能量 1.4电路元件 1.5电阻元件 1.7受控电源 1.8基尔霍夫定律

本章重点 2.1引言 2.2电路的等效变换 2.3电阻的串联和并联 2.4电阻的Y形连接和△形连接的等效变换 2.5电压源、电流源的串联和并联 2.6实际电源的两种模型及其等效变换 2.7输入电阻

§3.1 傅里叶变换 §3.1.1 傅里叶变换 §3.1.2 傅里叶变换性质 §3.1.3 快速傅里叶变换 §3.2 可分离图像变换 §3.2.2 沃尔什变换（Walsh）

§3.2.3 哈达玛变换 §3.2.4 离散余弦变换 §3.2.5 斜变换 §3.3 霍特林变换（Hotelling）

一、(12分)已知某连续时间信号x(t)的波形如图所示。 1.画出信号x1(t)=x(2-2t)+x(t-1)的波形;x( 2.若x(t)的频谱是X(),试用X(a)表示信号x(t)的频谱