第五章光缆和光纤通信器件 5.1光纤的温度特性和机械特性 5.2光缆的结构和种类 5.3无源光器件 5.4发光二极管器件简介 5.5半导体激光二极管器件 5.6电检测器件 5.7其它新型光通信器件简介

一、判断化学反应方向 方法： 将反应设计为电池

桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.6

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.3

桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.2

桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图NO.1

本文运用\黑箱\的方法对超高功率电弧炉炼钢工艺过程做了系统分析,基于物料衡算、能量衡算和化学平衡建立的数学模型,使用BASIC、DBASE等高级算法语言,对电弧炉炼钢工艺过程计算机操作软件进行了开发研究

桂林电子工业学院：《EDA技术与应用》实验电路结构图N.0

利用电化学手段在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面成功制备了Rh纳米粒子,并发现包裹剂、支持电解质以及电化学参数对产物的形貌及尺寸有着显著影响.通过对上述参数的调控实现了Rh纳米粒子的形貌可控制备,得到了准球形、岛状以及片层状的Rh纳米粒子.此外对岛状Rh纳米粒子在表面增强拉曼光谱中的应用进行了研究.结果表明该种结构具有良好的表面增强拉曼活性