对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

2.1 阴极射线管 2.1.1 黑白显像管 2.1.2 彩色显像管 2.2 液晶显示 2.2.1 液晶的基本知识 2.2.2 扭曲向列型液晶显示（TN-LCD） 2.2.3超扭曲向列型液晶显示（STN-LCD） 2.2.4有源矩阵液晶显示器件（AM-LCD） 2.3等离子体显示 2.3.1气体放电基本知识 2.3.2单色等离子体显示 2.3.3彩色等离子体显示 2.4 其它显示技术 2.4.1 投影显示 2.4.2 真空荧光显示 2.4.3 电致变色显示 2.4.4 电泳显示 2.5 TN型液晶光阀电光特性的实验研究

3.1光电二极管特性的实验研究 3.2硅光电池特性的实验研究 3.2.1 开路电压与短路电流 3.2.2 伏安特性 3.3 电荷耦合摄像器件 3.3.1 电荷耦合器件工作原理 3.3.2电荷耦合摄像器件工作原理 3.3.3电荷耦合摄像器件的特性参数

绪论 第1章光学分析法引论 第2章紫外-可见分光光度法 第3章红外光谱法 第4章分子发光分析法

一、 简单光照明模型 二、 多边形绘制方法 三、 透明 四、 整体光照明模型 五、 光线跟踪算法

光敏三极管 一、结构和原理 二、特性 三、特性参数和选用

光具有波粒二象性。在有些情况下,光 突出地显示出其波动性;而在另一些情况 下,则突出地显示出其粒子性 康普顿散射是光显示出其粒子性的又 著名实验

第一、二节 热辐射 普朗克能量子假说 第三节 光电效应 爱因斯坦光量子理论 第四节 康普顿散射 第五节 光的波粒二象性

天津大学：《工程光学》课程PPT教学课件（几何光学、物理光学）主界面

光具有波粒二象性。在有些情况下,光 突出地显示出其波动性;而在另一些情况 下,则突出地显示出其粒子性 康普顿散射是光显示出其粒子性的又 著名实验