网站首页
校园空间
教师库
在线阅读
知识问答
大学课件
高等教育资讯网
大学课件分类
:
基础课件
工程课件
经管课件
农业课件
医药课件
人文课件
其他课件
课件(包)
文库资源
点击切换搜索课件
文库搜索结果(1059)
北京师范大学:《无机化学》1999年考研化学试卷集
文档格式:DOC 文档大小:37KB 文档页数:2
一、选择题(请选择正确答案的英文字母代码,每题至少有一个正确答案13分) ()1.已知0.10mol.l-1fec3溶液的hJ1.6,与Fe(H20)63+的酸电离常数据最接近的数据是: A.5×10-2B.7×10-3C.5×10-4.8×10-4
《水质分析手册》HZHJSZ00105 水质钼的测定催化极谱法
文档格式:PDF 文档大小:17.87KB 文档页数:2
水质一钼的测定一催化极谱法 钼是一切固氮植物所必需的营养成分,对植物内维生素C的合成,含量与分解具有一定 作用。钼也是人体黄呤氧化酶、醛氧化酶亚硫酸氧化酶等多种酶的重要成分,是人体必需 的微量元素。 天然水中钼的含量为每升数微克。冶金、电子、石油加工、陶瓷和纺织等工业废水中常 含钼,有的铜冶炼厂废水钼含浓度可达0.047mg/L,有色金属加工厂废水钼浓度约为 0.057mg/L可见废水中钼的含量一般比较低
《水质分析手册》HZHJSZ00109 水质氯离子电极流动法
文档格式:PDF 文档大小:18.46KB 文档页数:2
1范围 本方法适用于地面水、饮用水、生活污水及一般工业废水中C含量的测定。检出限为 0.9mg/L,线性范围是9.0~1000mg/L Br、s2对本法有明显干扰,超过0.36倍时干扰测定。K+、Na、Cu2+、Zn2+、Ca2+、Mg2+、 Pb2+、Fe3+、AP+、NH4+、Ac、HCO3均不干扰测定。其中s2的干扰可用加入少量的硝酸铅消 除。Br、的干扰可从测得的总卤素离子的含量中扣除Br、含量的方法消除
《结构力学及有限元分析》讲义电子教案
文档格式:DOC 文档大小:36.72MB 文档页数:246
数值解,满足工程实际需要,计算机技术使之成为现实。 FEM:运用离散概念,把弹性连续体划分为一个由有限个单元组成的集合 体,通过单元分析和组合,得到一组联立代数方程组,最后求得数值解。 40年代,离散化概念,计算机不现实 60年,美国R.W. lough飞机三角形单元模型,FEM概念 65年,0.C. Zienkiewics FEM适用于所有能按变分形式进行计算的 场问题
安徽电气工程职业技术学院:《数字电子技术》课程教学资源_试卷二
文档格式:PDF 文档大小:119.56KB 文档页数:4
一、填空题 (每题 1. 5 分,共 30 分 ) 1.(27)10=( )2 =( )8421BCD 2.(11001)2 =( )10 3.逻辑函数 Y= A+B+ C D 的反函数 Y = ,对偶式 Y ′ =
电子科技大学:《试验设计方法》第一章 正交试验基本方法
文档格式:PPT 文档大小:432KB 文档页数:47
1-1问题的提出--多因素的试验问题 例1-1 为提高某化工产品的转化率,选择了三个有关的因素进行条件试验,反应温度(A),反应时间(B),用碱量(C),并确定了它们的试验范围:
西安交通大学:《智能控制理论与方法》课程教学资源(PPT课件讲稿)模块(组合)网络
文档格式:PPT 文档大小:156.5KB 文档页数:8
(1) 产生的背景 (a) 更好的映射非线性函数 (b) 模拟人类神经系统,分工合作 (c) 在控制中,克服“时间交叉” (Temporal Crosstalk) 现象
《大学物理》课程教学资源(习题集)电学试题(含答案)
文档格式:DOC 文档大小:1.87MB 文档页数:16
一、选择题: 1. 如图所示,任一闭合曲面 S 内有一点电荷 q,O 为 S 面上任一点,若将 q 由闭合曲面内 的 P 点移到 T 点,且 OP=OT,那么 [ ] (A) 穿过 S 面的电通量改变,O 点的场强大小不变; (B) 穿过 S 面的电通量改变,O 点的场强大小改变; (C) 穿过 S 面的电通量不变,O 点的场强大小改变;
大理学院:《外科学》课程教学资源_试题6:下学期
文档格式:DOC 文档大小:56KB 文档页数:9
一、单项选择题(每题 1 分,共 40 分) 1、诊断颅底骨折最可靠的依据是( ) A、脑电力检查 B、头颅 X 光照片 C、临床表现 D、头部外伤史 E、头部超声波的中线波偏移
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:102.5KB 文档页数:3
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发
首页
上页
93
94
95
96
97
98
99
100
下页
末页
热门关键字
资源经济学
产业
河海大学大学
直流
物流管理
马哲原理
化工设备
分离
C%252525252525252523,NET编程
食品加工
厂房设计
生物信息]
求解
平衡方程
丽水学院
教学法
建设工程管理
淮北煤炭师范学院
合金
工程地质
高频
二维
c%252525252525252523网络编程
饭店管理
法规常识
二羰基化合物
电阻]
电子器件
电路定律
代谢
大学英语2-1
齿轮计算
财物管理
毕业课程设计
JAVA设计
is分析与设计
C++
《数据库》]
FPGA设计
《人机工程学》
搜索一下,找到相关课件或文库资源
1059
个
©2008-现在 cucdc.com
高等教育资讯网 版权所有