与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

1.掌握电阻、电感、电容元件的交流特性 2.掌握R-L-C串联电路与并联电路的分析计算方去,理解阻抗与阻抗角的物理意义。 3.了解R-L-C串联谐振电路与并联谐振电路的特形

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

第一章电路模型和基本定律 1.1电路和电路图 1.2电流、电压和功率 1.3耗能元件和储能元件 1.4独立电源和受控电源 1.5基尔霍夫定律 1.6电阻的连接 1.7电源的连接及其等效变换

第三章常用的传感器 3.1概述 3.2机械式传感器 3.3电阻式传感器 3.4电感式传感器 3.5电容式传感器 3.6压电式传感器 3.7其他传感器 3.9传动器的选用原则

9电路的频率特性 9-1电路的频率特性与网络函数 9-2RC电路的频率特性 9-3RLC串联谐振电路 9-4GCL并联谐振电路 9-5电源电阻及负载对谐振电路的影响

电阻电路 静态、即时,激励响应VCR为代数方程,响应仅 由激励引起,与过去和即将出现的激励情况无关 动态电路 动态、过渡过程,激励响应VCR为微分方程,响 应与激励的全部历史有关

第三章线性网络的一般分析方法电阻电路分析方法: 一、等效变换求局部响应 二、一般分析方法—系统化求响应 三、网络定理

第二章电路分析中的等效变换 1简单电阻电路的分析 2电路的等效变换方法

第一章电路的基本概念和定律 第一节电路及电路模型 第二节电路的物理量 第三节电阻元件 第四节电容元件 第五节电感元件 第六节电压源和电流源 第七节受控电源 第八节基尔霍夫定律 第一章小结