6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

7.1 平板显示器的构成与性能参数 7.2 液晶的电光响应特性 7.3 TFT-LCD像素架构 7.4 TFT-LCD的像素级驱动原理 7.5 TFT-LCD的驱动系统 7.6 α-Si:H TFT背板制造技术 7.7 LTPS TFT-LCD中的集成技术 7.8 低功耗TFT LCD 7.9 LTPS TFT 背板制造工艺技术

10.1 平板X射线成像的物理过程 10.2 平板X射线成像器件的主要技术指标 10.3 有源平板x射线成像器件的像素结构与工作原理 10.4 平板X射线成像系统架构 10.5 平板X射线成像器件的应用

本章要点： 薄膜的内应力 薄膜的附着性能 附着类型 附着力的性质 影响薄膜附着力的工艺因素 薄膜附着力的测量 内应力的类别 内应力的成因 内应力的测量

要点： 连续薄膜的电导 岛状薄膜的电导 外因对岛状薄膜电导的影响 网状薄膜的电导 外因对连续薄膜电导的影响

实验 1. 数字下变频器（DDC）的设计与验证 实验 2. 数字上变频器（DUC）的设计与验证 附录 A 软件无线电实验平台硬件接口配置

设计与实现一个数字下变频器(DDC)，完成系统结构及其组成模块的设计与实现，利用MATLAB开展系统级和模块级的进行仿真，编写FPGA程序，对硬件算法进行仿真，最后在实验平台验证设计结果

8.1 OLED基础 8.2 OLED显示器的有源驱动技术 8.3 有机发光TFT 8.4 AMOLED像素补偿电路 8.5 AMOLED制造工艺技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管