5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

一、剔除数据中的“奇异项” 二、去除数据中的电平漂移 三、去除 / 提取趋势项 四、测量数据的平滑滤波

一、静态特性 二、动态特性 三、不失真测试条件 四、测试系统的动态误差

本章主要内容： · 一元线性回归方程度建立、显著性检验、预报和控制。非线性回归方程的线性化。 · 多元线性回归方程建立、显著性检验、偏回归平方和。 · 回归分析法在试验设计中的作用和地位。 · 正交多项式回归设计及回归方程的建立

4.1 文件系统结构 4.2 文件系统算法 主要包括以下几项： 分配活动索引节点 释放活动索引节点 逻辑位移量到文件系统块的映射 把路径名转换为索引节点 给新文件分配磁盘i节点 释放磁盘i节点

控制进程上下文的系统调用包括三类： 1、与存储相关的 fork exec brk 2、与同步相关的 exit wait signal kill 3、与属性相关的 setpgrp setuid

本章主要介绍针对上层用户使用的系统调用。用户通过使用本章介绍的系统调用来申请操作系统中有关文件和文件系统操作的各项功能。 本章介绍的算法是基于第四章所介绍的底层文件系统算法之上的，主要包括七大类操作： 返回文件描述符类操作 路径名转换类操作 分配索引节点类操作 文件属性类操作 文件输入输出类操作 文件系统装卸类操作 文件系统目录树操作

1 变阻尼减振军事和民用需求 2 变阻尼减振控制系统 3 变阻尼减振控制技术的国内外发展现状 3.1 自感知与自集能技术 3.2 减振控制方法 3.3 变阻尼减振方法 3.4 减振效能评估方法 4 变阻尼减振控制的工程应用 5 变阻尼减振控制技术发展需要解决的关键问题 6 电磁涡流变阻尼减振的初步研究成果

机械波、波动方程、波的能量、声波、描述声波的物理量、多普勒效应、圆周运动多普勒效应、旋转多普勒效应