根据传统擦伤电极试验原理,自行设计了一套用于薄膜材料钝化过程研究的装置,由于它采用的是断裂方式产生裸表面,因而克服了传统擦伤方式裸表面逐渐暴露于介质的弱点,能直接测量到真实反映钝化过程的电流衰减曲线。利用这套装置对磁控溅射晶态与非晶态不锈钢合金薄膜在3.5%NaCl溶液中的钝化过程进行了比较研究,结果表明非晶薄膜的裸表面具有更高的反应活性及更快的钝化膜形成速度

介绍一种新型矿用多绳摩擦提升机动态张力监测传感器.采用圆平面压力弹性膜作为变极距差动电容信号输出,传感器弹性敏感元件与转换电路集成一体化全封闭设计制造,具有良好的抗振动和抗冲击性能,适用于井下恶劣工作环境

将30MnB5热成形钢进行淬火和回火处理,利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪和拉伸性能检测等方法研究了不同回火温度后的显微组织和力学性能变化.经200℃保温2 min回火后热成形钢的综合力学性能最佳,抗拉强度为1774 MPa,总伸长率为8%,强塑积达14 GPa·%以上,该性能满足热成形后作为汽车结构件的使用要求;并且随着回火温度的升高,力学性能呈非单调性变化.200℃低温回火后,主要为板条马氏体和ε碳化物,位错密度略有降低,析出的ε碳化物粒子呈针状分布在马氏体板条内,长度方向大小为100 nm左右,并与位错发生钉扎作用.随着回火温度的升高,板条马氏体发生回复和再结晶,板条边界逐渐模糊,并向等轴状铁素体转变,位错密度显著降低,ε碳化物逐渐向低能态的近球形渗碳体转变并粗化至200 nm左右,对位错的钉扎作用也随之减弱

光敏三极管 一、结构和原理 二、特性 三、特性参数和选用

首先证明张量展开的一般公式,其次将张量展开的一般公式应用到Stark效应中。计算出电四极矩张量的哈密顿算符的矩阵元,并计算出原子在外电场中能级位移量,计算结果与曾给出的一种标准的计算方法的结果相一致

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

利用光镜、扫描电镜和能谱仪等显微组织分析方法研究了镍基耐蚀合金C-276经真空冶炼+电渣重溶后铸锭的枝晶特点和元素偏析情况,根据残余偏析指数模型计算结果选取了四种均匀化实验制度,并通过均匀化实验后的组织分析和Gleeble1500试验机热模拟锻造实验验证,最终确立了适合C-276合金的均匀化工艺.结果表明:合金中偏析程度最严重的元素为Mo;在选取的四种均匀化制度中,采用1170℃下加热20h的处理方式不仅可以较好地实现成分均匀化,还能保证晶粒尺寸不过度长大,从而确保合金的热加工塑性,是最为合理的均匀化制度.实验也证明利用残余偏析指数模型,计算结果与实验结果基本吻合,在预测和评价C-276合金均匀化工艺上是可信的

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射和电子探针等研究了0.2C-1.51Si-1.84Mn钢在配分阶段组织的演变情况.配分温度为400℃时,碳在10 s时就可以完成配分,得到残余奥氏体最大体积分数为13.4%.随着配分时间的增长,钢中马氏体发生回火现象,奥氏体发生分解,强度、延伸率降低.当配分时间达到1000 s时,屈服强度、延伸率突然升高.分析认为马氏体回火带来的塑性提高抵消了残余奥氏体量减少引起的塑性降低,并且由于渗碳体和碳化物的析出,变形时阻碍位错的运动,从而提高了屈服强度.通过电子探针分析说明配分阶段发生了碳的扩散,随着配分时间的增长,发生了渗碳体和碳化物的析出,降低了残余奥氏体中碳的含量

新型耐海水腐蚀低合金钢10CrCusiV，在大连海域全浸区挂片试验7a后的腐蚀率为0.23mm/a.通过金相、岩相、X射线衍射及扫描电镜、电子能谱等分析，都证明了10CrCuSiV钢的锈层致密，附着牢固，粘附性系数小；内锈层以Fe3O4为主，有良好保护性；而合金元素在蚀坑内的富集有效地抑制了局部腐蚀作用