1.解释下列名词： （1）n－型和 p－型半导体 （2）本征半导体和掺杂半导体 （3）超导电性 （4）功能陶瓷 （5）纳米材料 （6）4A 分子筛

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

采用电化学阻抗测试技术(EIS)、Mott-Schottky方法对β相模型合金在Cl-溶液环境中形成的表面膜的稳定性和半导体特性进行研究.结果表明,Cl-浓度的增加,使β相表面膜形成和活化溶解的趋势均加剧,即表面膜的稳定性变差.原因在于Cl-浓度较低时,β相表面膜的半导体类型为P型,P型半导体膜是一种阳离子导体膜,Cl-很难通过迁移扩散的方式穿过表面膜.随着Cl-浓度的增大,β相表面膜的半导体类型转变为N型,N型半导体膜便于Cl-穿越膜层到达膜层底部,继续腐蚀金属并使表面膜发生破裂

山西师范大学：《半导体材料》课程教学大纲（材料化学专业）

放大电路 半导体、PN结、 BJT载流子运动 物理、化学

晶体的缺陷 金属 半导体/超导体 薄膜/界面/多孔材料 多聚物/Ps化学 纳米材料/巨磁阻/量子点

一、根据物质的导电性,物质可以分为哪几种? 二、集成电路中主要研究的是哪种?原因是什么?

5.5半导体材料的电导 5.5.1半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷: 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷,对材料的物理性能、化学 性能产生决定性的影响

评述了目前半导体光催化在国内外的研究概况，并对存在的问题和未来的发展动向进行简要分析.列举了近30年来关于光催化研究的部分成果，内容涉及光催化剂的制备（包括新催化剂的开发，TiO2、ZnO、CdS等光催化剂的各种改性或修饰）、光催化作用机理研究、光催化技术的工程化、光催化技术的各种应用研究和产品开发等等从基础到应用研究的各个方面

采用溶胶2凝胶法控制制备了晶粒尺寸从10nm到80nm的二氧化钛纳米半导体.用光催化降解苯酚作为模型反应,结合XRD,DRS,FS等表征手段,研究了纳米TiO2的制备条件与其晶粒尺寸和相结构的关系,探讨了纳米TiO2尺寸效应对其光催化活性的影响.发现当晶粒尺寸小于16nm时,二氧化钛半导体具有了明显的尺寸量子效应.尺寸量子效应对提高TiO2光催化降解苯酚的催化活性起了极为重要的作用