§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、 参数 ⚫ 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管

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§1-1 半导体物理中基本概念 • 载流子：电子与空穴 • 有效质量 • 费米能级与准费米能级 • 热平衡态与非平衡态 • 本征与掺杂 • 施主与受主 • 散射与碰撞 • 漂移与扩散 • 稳态与非稳态 §1-2 半导体材料特性 • 晶格结构 • 密勒指数 • 载流子的概念 • 半导体器件理论基础 §1-3 半导体能带论 • 能带的概念 • 有效质量的概念 • 载流子的概念 • 多能谷半导体 • 态密度 §1-4 平衡载流子和非平衡载流子 §1-5 载流子输运理论

中国科学技术大学：《半导体器件原理》课程教学资源（课件讲稿）绪论 Principle of Semiconductor Devices 半导体器件简介与进展

§5.1 MOS结构及MOS二极管 §5.2 MOSFET的基本理论 §5.3 MOSFET的频率特性 §5.4 MOSFET的击穿特性 §5.5 MOSFET的功率特性 §5.6 MOSFET的温度特性 §5.7 MOSFET的开关特性 §5.8 CMOS互补型低功耗电路 §5.9 MOSFET的短沟道效应 §5.10 MOSFET的器件小型化

§4.1 金属半导体结 §4.2 肖特基势垒二极管SBD §4.3 欧姆接触 §4.4 结型场效应晶体管JFET §4.5 肖特基栅场效应晶体管MESFET §4.6 异质结MESFET

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体管的结构与符号 晶体管的工作状态及放大原理 晶体管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的工作状态、参数及特点

第一节 半导体器件 § 2.1.1 半导体的基本知识 § 2.1.2 PN 结及半导体二极管 § 2.1.3 半导体三极管 第二节 基本放大电路 §2.2.1 放大电路的组成 §2.2.2 放大电路的分析方法 §2.2.3 静态工作点的稳定 §2.2.4 放大器的主要性能指标 §2.2.5 多级阻容耦合放大电路