7-7金属一绝缘体一半导体和MOS反型层 MS体系:金属一绝缘体一半导体 Metal Insulator Semiconductor MOS体系:金属一氧化物一半导体

第二章静电场中的导体和电介质 1导体的静电平衡 一静电平衡状态 1静电平衡状态:导体内部和表面都没有电荷的宏观移动

一、孤立导体的电容 孤立导体的电容为孤立导体所带电荷Q与其电势V的比值

导体中单位表面的功率损耗:进入导体的电磁波能量(被导体吸收的功率)

导线中的电流:由大量自由电子的定向运动形成的 带电粒子运动在磁场中会受到力的作用~洛伦兹力 安培力的来源: 在洛伦兹力的作用下,导体中定向运动的自由电子 和金属导体中晶格上的正离子不断碰撞,将动量传给 导体,使整个导体在磁场中受到磁力作用

1一半径为a的导体球,被围在内半径为 b、外半径为c,相对介电系数为的介质同 心球壳内,若导体球带电荷量为Q,求 D(r),E(r和导体表面 电势

一、导体的静电平衡条件 二、静电平衡的导体上的电荷分布 三、有导体存在时静电场的分析与计算 四、静电屏蔽

1、静电场中的导体 (1)导体的静电平衡 导体电结构:带正电的晶格点阵和大量可以自由移动的电子组成

§13-1电场中的导体 §13-2静电平衡导体上的电荷分 §13-3 有导体时静电场的分析与计算 §13-4静电屏蔽 §13-5 电容器 §13-6 电介质对电场的影响 §13-7 电介质的极化 §13-7 电介质的极化 §13-8 D矢量及其高斯定理 §13-9 电容器的能量

9.6静电场中的导体 要求:电场与金属导体相互作用机理及相互影响后电场的计算