一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

1、 什么叫尺寸链？它有哪几种形式？ 答：尺寸链是指在机器装配或加工过程中，由相互连接的尺寸形 成封闭的尺寸组。它有多种不同形式，按尺寸几何特征分为长度尺寸 链与角度尺寸链；按尺寸链用途分为装配尺寸链、零件尺寸链和工艺 尺寸链；按其在空间的位置分为直线尺寸链、平面尺寸链和空间尺寸 链

2.1中厚板轧机的形式及发展趋势 2.2中厚板轧机的布置及中厚板车间 2.3中厚板生产的工艺过程 2.4中厚板的平面形状控制 2.5中厚板组织性能控制 2.6中厚板轧机压下规程设计

Matlab作为数学计算软件，之所以能受到众多使 用者的青睐，除了其简单准确的数值计算功能和强 大的工具箱支持外，还在于其出色的可视化和图象 处理功能。 Matlab软件可以将用户计算得到的数据根据其不 同情况转化为相应的图形。用户可以选择直角坐标 系、极坐标系；图形可以表现为平面曲线、空间曲 线、直方图、向量图、柱状图及空间网面图、空间 表面图等；还可以对图形作进一步加工，如标注、 添色、变换视觉、控制色图、取局部视图、切片图、 制作动画等

采用流函数法构造了塑性变形金属流动的完备速度模式,对Mises材料平面变形和轴对称变形问题,提出并推证了运动可能速度场应满足的力学边界条件一\边界切应力\约束方程.将求解与运动可能速度相对应的应力场归结为确定一点静水压力的问题,实现了由上限法确定问题的完全解.应用这一理论对锥模拔管问题进行了计算分析

授课主要内容 工件的定位是通过工件上的定位基准面和夹具上定位元件工作表面之间的配合 或接触实现的，一般应根据工件上定位基准面的形状，选择相应的定位元件。 一、工件以平面定位 工件以平面定位时，常用定位元件：固定支承、可调支承、浮动支承、辅助支 承

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

建模案例:最优截断切割问题 一、问题 从一个长方体中加工出一个已知尺寸、位置预定的长方体(这两个长方体的对应表面是平行的),通常要经过6次截断切割设水平切割单位面积的费用是垂直切割单位面积费用的r倍且当先后两次垂直切割的平面(不管它们之间是否穿插水平切割)不平行时,因调整刀具需额外费用e试设计一种安排各面加工次序(称“切割方式”)的方法,使加工费用最少 二、假设 1、假设水平切割单位面积的费用为r,垂直切割单位面积费用为1; 2、当先后两次垂直切割的平面(不管它们之间是否穿插水平切割)不平行时,调整刀具需额外费用e; 3、第一次切割前,刀具已经调整完毕,即第一次垂直切割不加入刀具调整费用;

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液晶的物理特性 液晶的物理特性是：当通电时导通，排列变的有秩序，使 光线容易通过；不通电时排列混乱，阻止光线通过。让液 晶如闸门般地阻隔或让光线穿透。从技术上简单地说，液 晶面板包含了两片相当精 致的无钠玻璃素材，称为 Substrates，中间夹著一层液晶。当光束通过这层液晶 时，液晶本身会排排站立或扭转呈不规则状，因而阻隔或 使光束顺利通过。大多数液晶都属于有机复合物，由长棒 状的分子构成。在自然状态下，这些棒状分子的长轴大致 平行。将液晶倒入一个经精良加工的开槽平面，液晶分子 会顺着槽排列，所以假如那些槽非常平行，则各分子也是 完全平行的