模拟电子技术基础文库下载_中国高校课件下载中心

文档格式：PPT　文档大小：4.37MB　文档页数：14

一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结的形成及其单向导电性四、PN结的电容效应

文档格式：PDF　文档大小：63.6KB　文档页数：2

1.了解功率放大集成块的应用 2.学习集成功率放大器基本技术指标的测试

文档格式：PDF　文档大小：141.81KB　文档页数：4

1.熟悉差放电路的结构和性能特点。 2.掌握差动放大器的测试方法

文档格式：PDF　文档大小：140.29KB　文档页数：4

1. 掌握射极跟随器的特性及测试方法 2. 进一步学习放大器各项参数调试方法

文档格式：PPT　文档大小：1.19MB　文档页数：66

1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 BJT模型 1.5 场效应管

文档格式：PPT　文档大小：172.5KB　文档页数：3

华中科技大学电信系：《模拟电子技术基础》课程教学资源（PPT电子教案）双极结型三极管及放大电路基础 4.2 共射极放大电路的工作原理

文档格式：PPT　文档大小：132.5KB　文档页数：1

华中科技大学电信系：《模拟电子技术基础》课程教学资源（PPT电子教案）双极结型三极管及放大电路基础（目录）

文档格式：PPT　文档大小：3.41MB　文档页数：52

2. 含有双电源的射极偏置电路（2）直接耦合

文档格式：PPT　文档大小：1.89MB　文档页数：82

一、半导体三极管二、基本放大电路

文档格式：PPT　文档大小：771.5KB　文档页数：13

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很多,而功耗却低很多