1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 本章内容和学习要点 1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——二极管 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件 1.4 典型全控型器件 1.4.1 门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1.5 其他新型电力电子器件 1.6 电力电子器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1.7 电力电子器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路 1.8 电力电子器件的串联和并联使用

1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 本章内容和学习要点 1.2 不可控器件——电力二极管 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性 1.2.3 电力二极管的主要参数 1.2.4 电力二极管的主要类型 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件 1.4 典型全控型器件 1.4.1 门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1.5 其他新型电力电子器件 1.5.1 MOS控制晶闸管MCT 1.5.2 静电感应晶体管SIT 1.5.3 静电感应晶闸管SITH 1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 1.5.5 功率模块与功率集成电路 1.6 电力电子器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1.7 电力电子器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 1.8 电力电子器件的串联和并联使用 1.8.1 晶闸管的串联 1.8.2 晶闸管的并联 1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点

第 1 章 电路分析基础 第 2 章 电路的暂态分析 第 3 章 交流电路 第 4 章 二极管及其应用 第 5 章 晶体管及其基本放大电路 第 6 章 集成运算放大器 第 7 章 直流稳压电源 第 8 章 电力电子器件及其应用

氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上

以燃料电池、光伏电池等为代表的新能源在实际应用中需要大功率DC-DC变换器对其输出电压进行调节,同时对其输出功率进行控制.本文将高效SiC MOSFET应用于燃料电池汽车两相交错式Boost型DC-DC变换器中,基于计算、仿真和实验手段分析了应用SiC功率器件变换器的性能.研究结果表明:在大功率DC-DC变换器中,新型SiC功率器件的应用能够提高变换器功率密度、增强变换器可靠性,提升动力系统工作效率.该研究结果将为新型电力电子器件的应用以及新能源相关领域的研究提供参考

2.1 电力二极管 2.2 门极可关断晶闸管 2.3 电力场效应晶体管 2.4 绝缘栅双极晶体管 2.5 MOS控制晶闸管 2.6 其它新型功率器件

综述了多晶卤化物钙钛矿薄膜的局限性, 卤化物钙钛矿量子点的基本光学性质和制备方法, 以及在光电探测器方面的器件结构研究进展, 并重点介绍了应用在0D-2D混合维度异质结基光电晶体管器件的突破, 包括界面载流子行为和高性能光探测器的构建.最后, 总结了卤化物钙钛矿量子点作为未来商业化应用的光电子器件和电子器件的候选材料所面临的主要问题和挑战, 譬如化学不稳定性、铅毒性问题、量子点与其他材料间界面高效电荷传输等问题, 并提出了解决思路和方法.这为设计和推进高性能、高稳定性卤化物钙钛矿量子点基光电功能化器件的商业化应用指明了方向

第一章 电力电子技术简介 1.1 什么是电力电子技术 1.2 电力电子技术的发展史 1.3 电力电子技术的应用 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.7 电力电子器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路 、第二章 整流电路 § 2.1、电力二极管(Power Diode) § 2.2、晶闸管(SCR、VT) §2.3单相半波可控整流电路 §2.4 单相桥式全控整流电路 §2.5 单相桥式半控整流电路 §2.6 三相半波可控整流电路 §2.7 整流电路的有源逆变 、第三章 直流斩波电路 §4 交流电力控制电路和交交变频电路 §4.1交流调压电路 §4.2 三相交流调压电路 §4.2 单相交交变频电路 、第五章 逆变电路、第六章 PWM控制技术

基于前驱体合成与氨气氮化两步法，通过对前驱体合成关键参数B源/N源比、分散剂种类、前驱体干燥方式进行调控，实现了大比表面积、少层氮化硼纳米片材料的制备。其优化条件为以硼酸为硼源，尿素为氮源，硼酸与尿素摩尔比为1∶30，甲醇和去离子水作为分散剂，利用真空冷冻干燥方式合成前驱体。将前驱体在氨气气氛下900 ℃保温3 h合成了氮化硼纳米片。利用X射线衍射测试、X射线光电子能谱测试、拉曼光谱测试、热重分析测试等对合成产物进行了物相和结构表征，利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、氮气吸脱附曲线等对合成产物进行了形貌及比表面积表征。结果表明：合成的氮化硼为六方氮化硼纳米片（h-BNNSs），纯度高，形貌类石墨烯，层数为2～4层，厚度平均为1 nm，比表面积为871.8 m2·g?1，单次产物质量平均可达240 mg，合成产物平均产率可达96.7%。该方法简单易操作，实现了大比表面积少层氮化硼的制备，有助于氮化硼在各应用领域的研究，如氮化硼/石墨烯复合材料、纳米电子器件、污染物的吸附、储氢等

《DSP 器件与应用》课程教学大纲 《EDA 技术》课程教学大纲 《PLC 原理与应用》课程教学大纲 《VC 程序设计》课程教学大纲 《MATLAB 基础》课程教学大纲 《半导体器件及应用》课程教学大纲 《测控电路》课程教学大纲 《传感器与检测技术》课程教学大纲 《大学生心理健康教育》课程教学大纲 《大学生职业发展与就业指导》课程教学大纲 《大学物理 A》课程教学大纲 《单片机原理与应用》课程教学大纲 《电磁场与电磁波》课程教学大纲 《电机及拖动基础》课程教学大纲 《电力电子技术》课程教学大纲 《电路分析》课程教学大纲 《电气控制技术》课程教学大纲 《电视原理与技术》课程教学大纲 《电子测量技术》课程教学大纲 《发光与显示技术》课程教学大纲 《高频电子线路》课程教学大纲 《光电子学》课程教学大纲 《机械设计基础》课程教学大纲 《机械制图》课程教学大纲 《控制电机》课程教学大纲 《模拟电子技术基础》课程教学大纲 《数字电子技术基础》课程教学大纲 《数字系统设计与 Verilog HDL》课程教学大纲 《数字信号处理》课程教学大纲 《通信原理》课程教学大纲 《微机原理与接口技术》课程教学大纲 《信号与系统》课程教学大纲 《自动控制原理》课程教学大纲 《LabVIEW 虚拟仪器》课程教学大纲 《半导体物理学》课程教学大纲 《电磁兼容基础》课程教学大纲 《高等光学》课程教学大纲 《高速 PCB 设计》课程教学大纲 《工厂供电》课程教学大纲 《光电检测技术》课程教学大纲 《光通信技术》课程教学大纲 《光纤传感器原理与应用》课程教学大纲 《红外检测技术》课程教学大纲 《机电一体化技术与系统》课程教学大纲 《机械加工技术》课程教学大纲 《激光原理与技术》课程教学大纲 《科技写作基础》课程教学大纲 《理论物理概论》课程教学大纲 《数字图像处理》课程教学大纲 《无线传感器网络技术》课程教学大纲 《信息光学》课程教学大纲 《应用光学》课程教学大纲 《专业英语》课程教学大纲 《专业英语》课程教学大纲 《生产实习》教学大纲 《毕业设计》教学大纲 《金工实习》教学大纲 《电子技术工艺》教学大纲 《数字电子技术课程设计》教学大纲 《模拟电子技术课程设计》教学大纲