这节课主要介绍安装工程技术与计量的第一章第一节安装工程常用材料基 础知识、第二节管道及设备常用附件和控制件及第三节常用低压电气器材 二、重点、难点 熟悉金属材料、非金属材料、复合材料、常用材料等的分类及各种材料性 能。熟悉管道及设备常用附件、控制件和电气材料、器材的分类、性能及适用范围

一、硼烷和碳硼烷 二、富勒烯和碳纳米管

一. 硼烷和碳硼烷 二. 富勒烯和碳纳米管

在轧制27SiMn液压支架用无缝钢管的过程中，管体出现局部开裂，对管体的化学成分进行了检验，利用金相显微镜和扫描电镜对其进行微观分析.分析结果表明，连铸坯中存在较多的非金属夹杂物，破坏了钢基体组织的连续性，在轧制过程中，该部位的金属受力不均产生显微裂纹.再加热过程的快速升温，增大钢管沿壁厚方向的温度梯度，外表面由于相变收缩而产生切向拉应力，显微裂纹进一步扩展从而导致局部开裂.对夹杂物做定性分析，找出其来源，并提出相应的技术改进措施

针对衡钢\EAF-LF-VD-HCC\工艺生产的水平连铸管坯钢,通过运用金相显微镜、扫描电镜、EDAX 能谱仪、电子探针、电解、示踪剂跟踪法等各种分析手段及方法,对 LF 处理前后,VD 处理后,中间包钢水及连铸坯,重点是吊包钢水,中间包钢水和连铸坯所取试样中所含的显微夹杂物及大型夹杂物进行了研究.结果表明,管坯钢显微夹杂相对个数为 16.1 mm-2,大型夹杂物数量为 214.6 mg·kg-1

采用三维大变形弹塑性有限元法,考虑材料和几何双重非线性,基于Prandtl-Reuss流动规律和Mises屈服准则,对圆管的辊弯二次成形过程中金属的流动规律及其应力分布进行了模拟分析,分别得到非圆截面管辊弯成形过程中金属的流动规律及应力的信息

1学科基础课平台必修课 《高等数学 A1》 《高等数学 A2》 《线性代数》 《概率论与数理统计 B》 《大学物理 A1》 《大学物理 A2》 《大学物理实验》 《电工电子技术 C》 《电工电子实训》 《金工实训 B》 《物理化学 F》 《物理化学 F 实验》 《分析测试技术》 《化工原理 C》 《化工原理实验》 2 学科基础课平台选修课 《无机化学与放射化学》 《有机化学 E》 《矿物加工专业导论》 《粉体工程导论》 《湿法冶金》 《机械设计基础 C》 《机械设计基础课程设计》 《画法几何与工程制图》 《工程力学 B》 《流体力学 D》 《矿物岩石学》 3专业课平台必修课 《矿物加工认识实习》 《磁重分选》 《碎磨与浮选》 《矿物加工专业实验》 《溶浸采铀 A》 《铀水冶工艺学 B》 《溶浸采铀与水冶》 《选矿厂设计》 《矿物加工工程生产实习》 《矿物加工毕业实习》 《矿加毕业设计（论文）》 4专业课平台选修课 《矿物加工 autocad 制图实验》 《矿物加工试验研究方法》 《浮选药剂化学原理与应用》 《矿山污染治理技术》 《矿物加工科研写作》 《矿加专业英语》 《矿物资源加工前沿技术》 《核工业生物学》 《矿业经济与管理》 《非金属矿加工与应用》

1学科基础课平台必修课 《高等数学 A1》 《高等数学 A2》 《概率论与数理统计 B》 《线性代数》 《大学物理 A1》 《大学物理 A2》 《大学物理实验》课程 《理论力学 A》(土木类) 《材料力学 A》(土木类) 《材料力学 A》 《画法几何与机械制图》 《电工电子技术 C》 《电工电子实训》 《金工实训 B》 2学科基础课平台选修课 《地质学基础》 《工程地质与水文地质》 《采矿工程专业导论》 《矿业系统工程》 《流体力学 D》 《工业技术经济学》 《弹性力学》 《测量学 C》 《测量学》 《采矿工程 CAD》 《结构力学 B》 《混凝土结构设计原理 B》 《钢结构设计原理 B》 《土力学与基础工程》 《管理学概论》 《物联网技术》 《智能算法》 《核工业微生物学 A》 《核安全与防护》 《矿山压力与控制》 《矿床开采设计原理》 《土木工程材料 B》 3 专业课平台必修课 《采矿毕业实习》 《采矿认识实习》 《采矿生产实习》 《岩体力学》 《岩体力学》课程 《凿岩爆破工程》 《铀矿床地下开采》 《铀矿井通风》 《矿床露天开采》 《采矿工程综合实验》 《采矿方法课程设计》 《矿床露天开采课程设计》 《采矿毕业设计（论文）》 4 专业课平台选修课 《矿山环保与安全》 《采矿专业英语》 《矿山机械 B》 《溶浸采铀》 《井巷工程》 《数字矿山技术》 《数字矿山实训》 《施工组织与概预算》 《爆破课程设计》 《隧道工程》 《拆除爆破与特种爆破》 《工程项目管理》 《铀水冶工艺学 A》 《充填理论及技术》 《矿山生产系统与装备》 《井巷工程 A 课程设计》 《铀矿开采科学前沿》 《矿井通风课程设计》 《放射性物探 B》 《钢筋混凝土结构原理》 《安全系统工程》 《非金属矿开采概论》 《放射性污染治理》 《环境影响评价概论》 《矿山环境工程》 《微生物浸矿技术 A》 《AUTOCAD 辅助绘图 A》

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)