等轴晶系,四方晶系,斜方晶系:(001)与[001] (010)与[010],[110]与[001],(110)与(010) 单斜晶系:(001)与[001],[100]与[001],(001) 与(100),(100)与(010) 三方与六方晶系:(1010)与(0001),(1010)与 (1120) 等轴晶系的{hh}可能={111}?

采用先进电子显微术在原子尺度研究了(001)单晶SrTiO3衬底上生长的纳米复合薄膜0.65BiFcO3-0.35CoFe2O4的组织形态以及界面结构.BiFeO3(BFO)和CoFe2O4(CFO)两相在外延生长过程中自发相分离,形成自组织的复合纳米结构.磁性尖晶石CFO呈方块状均匀分布于铁电钙钛矿BFO基体中,并沿[001)1]方向外延生长,形成垂直的柱状纳米结构.两相具有简单的立方-立方取向关系,即[001]BFO//[001]CFO和(100)BFO//(100)CFO,且界面为{110}晶面.薄膜表面起伏不平,形成CFO{111}小刻面而BFO则为平整的(001)表面.能谱分析结果表明各相成分均匀分布并无明显的元素互扩散发生

1. 简单立方晶格 原子球在一个平面内呈现为正方排列，如图 XCH001_001_00 所示。 这样的原子层叠加起来得到简单立方格子，如图 XCH001_001 所示。用原点表示原子的位置，即得 到其相应的晶格结构，如图 XCH001_002 所示

采用硅钢自动测量装置及X射线衍射仪检测出样品在实验前后的磁性能参数和织构强度.结果表明:较低的电压、9 Hz、较长的处理时间以及退火温度为650℃有利于增高铁损降低比例;较低的电压、较高的频率以及退火温度为650℃有利于增加磁感应强度增高比例.最佳的提高磁性能的实验参数是:频率为9 Hz,电压为500 V,处理时间为6 min,退火温度为650℃.通过织构分析可以验证:取向硅钢磁感应强度的变化取决于{110}晶粒取向度值,而{110}取向度值可看成是一个反映总体平均偏离角大小情况的综合值

研究了一种[001]取向镍基单晶合金的蠕变特征和变形期间的微观组织结构.结果表明:在低温高应力和高温低应力条件下,合金具有较长的蠕变寿命和较低的稳态蠕变速率;在700℃,720MPa条件下,透射电镜(TEM)观察显示蠕变期间的变形特征是$\\frac{1}{2}$<110>位错在基体中运动,发生反应形成$\\frac{1}{3}$<112>超肖克利(Shockley)不全位错,切入γ'相后产生层错.在900℃,450MPa条件下,没有出现蠕变初始阶段,γ'相从立方体形态演化成筏形;在加速蠕变阶段,多系滑移开动,大量位错剪切γ'相是变形的主要机制.在1070℃,150MPa条件下,γ'相逐渐转变成筏形组织,并在γ/γ'界面处形成致密的六边形位错网,位错网可以阻止位错切入γ'相,提高蠕变抗力;在蠕变后期,位错以位错对形式切入γ'相,是合金变形的主要方式

利用背散射电子衍射微织构分析技术及X射线衍射织构分析技术,结合对取向硅钢薄带再结晶各阶段退火板磁性能的分析,系统研究了其形变再结晶过程中的组织及织构演变.结果表明,薄带内原始高斯晶粒取向发生绕TD轴向{111}〈112〉的转变,同时晶粒取向还表现出绕RD轴的附加转动,这种附加转动及其导致的表层微弱立方形变组织可为再结晶立方织构的形成提供核心.退火各阶段样品磁性能的变化对应了{110}-{100}〈001〉有益织构及其他织构的强弱转变以及再结晶晶粒不均匀程度的变化,综合织构类型及晶粒尺寸的变化推断发生了二次及三次再结晶过程.升温过程再结晶织构演变主要体现了织构诱发机制,也即与基体存在绕〈001〉轴取向关系的晶粒长大优势结合高斯织构的抑制效应发挥作用;而在高温长时间保温后三次再结晶过程,{110}低表面能诱发异常长大发挥主要作用使得最终得到锋锐的高斯织构

研究了Zr对Fe-36Ni因瓦合金组织和热塑性的影响及相关作用机制.结果表明：加入质量分数为0.081%Zr处理后，合金中形成了大量高熔点的ZrO2颗粒；错配度计算表明，ZrO2（001）面与合金基体的（001）面之间的错配度仅为0.77%，因此，ZrO2可以作为有效的非均质形核核心，使柱状晶变短变细，等轴晶比例增加，凝固组织得到显著改善.温度低于1050℃时，Fe-36Ni因瓦合金热塑性较差，晶界强度较低及晶界滑移是其主要断裂机制；Zr通过细化晶粒来强化晶界、限制晶界的滑移和促进晶界的迁移，从而显著提高了合金950~1000℃的热塑性；温度高于1050℃，由于动态再结晶的出现，合金展现出了良好的热塑性

元素周期表中第 I 族碱金属元素（Li、Na、K、Rb、Cs）与第 VII 族的卤素元素（F、Cl、Br、I）化 合物（如 NaCl， CsCl，晶体结构如图 XCH001_009_01 和 XCH001_010 所示）所组成的晶体是典 型的离子晶体，半导体材料如 CdS、ZnS 等亦可以看成是离子晶体

MASSACHVSETTS INSTITVTE OF TECHNOLOGY epartment of Electrical Engineering and Computer Se lence 001--Structure and Interpretation of Computer Programs Spring Semester, 2005 Quiz I- Sample Solutions

1.(04-1-04)设矩阵A=120,矩阵B足ABA=2BA+E,其中A为 001 A的伴随矩阵,E是单位矩阵,则B=