《双极型晶体管内载流子的运动》动画素材，通过双极型晶体管电流放大作用实用电路的演示、计算，生动、详

swf4-_漏原电压对沟道的控制.SWF4-_载流子.swf4-_达林顿驱动电路.swf4-_N型

缺陷能级第三章半导体中载流子的统计分布第四篇半导体的导电性第五篇非平衡载流子第六篇金属和半导体的接

结构.swf二极管的伏安特性.swf三极管内部载流子的运动.swf三极管的输入特性.swf三极管的

导电性.exe06共射双极型管内载流子.exe07三极管内部载流子运动-共基.exe08共射输出特

N型半导体中的主要载流子是电子,同时也有少量的空穴载流子,电子被称为多数载流子一一多子。 空穴被称为少数载流子一一少子。 P型半导体中的主要载流子是空穴,同时也有少量的电子载流子,空穴被称为多数载流子一一多子。 电子被称为少数载流子一一少子。 在热平衡下,半导体中的杂质电子,或价带中的电子通过吸收热能,激发到导带中(载流子的产生), 同时电子又可以回落到价带中和空穴发生复合(载流子的复合),最后达到平衡时,载流子的产生率 和复合率相等,电子和空穴的浓度有了一定的分布

§1-1 半导体物理中基本概念 • 载流子：电子与空穴 • 有效质量 • 费米能级与准费米能级 • 热平衡态与非平衡态 • 本征与掺杂 • 施主与受主 • 散射与碰撞 • 漂移与扩散 • 稳态与非稳态 §1-2 半导体材料特性 • 晶格结构 • 密勒指数 • 载流子的概念 • 半导体器件理论基础 §1-3 半导体能带论 • 能带的概念 • 有效质量的概念 • 载流子的概念 • 多能谷半导体 • 态密度 §1-4 平衡载流子和非平衡载流子 §1-5 载流子输运理论

§4.1 载流子的热运动和散射 §4.2 载流子的输运 §4.3 载流子迁移率 §4.4 非平衡情形的过剩载流子 §4.5 准费米能级 §4.6 半导体基本的物理方程

一、热平衡 二、热平衡时非简并半导体载流子浓度的计算 三、本征半导体载流子浓度的计算 四、杂质半导体载流子浓度的计算 五、简并半导体载流子浓度的计算

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管