第四章 母 晶体管及其小信号放大 多级放大电路 电子电路基础
第四章 晶体管及其小信号放大 -多级放大电路 电子电路基础
§6.1级间耦合方式 C CC RE RLR R R R EKT,T2 T (a)阻容耦合 (b)直接耦合(c)变压器耦合
§6.1 级间耦合方式 (a)阻容耦合 (b)直接耦合 (c)变压器耦合
零点漂移 放大电路静态工作点随时间而 逐渐偏离原有静态值的现象。 产生零点漂移的主要原因是温度的影响, 所以有时也用温度漂移或时间漂移来表示。 1直接耦合:温漂严重、低频特性好、易集成化 2阻容耦合:抑制温漂、低频特性差、不易集成化 3变压器耦合:抑制温漂、低频特性差、不易集成化
1 直接耦合: 温漂严重、低频特性好、易集成化 2 阻容耦合: 抑制温漂、低频特性差、不易集成化 3 变压器耦合:抑制温漂、低频特性差、不易集成化 零点漂移 放大电路静态工作点随时间而 逐渐偏离原有静态值的现象。 产生零点漂移的主要原因是温度的影响， 所以有时也用温度漂移或时间漂移来表示
50多级放大电路的中频特性 R A Aun Rd|U。 U Ro U UUU A 12t2 R=R R=R
§6.2 多级放大电路的中频特性 o o n i i u u u n n o i i o u R R R R A A A U U U U U U U U A = = = = = − 1 1 2 1 1 1 2
+E 例 R R R R Rc RLLU RU ECs R C U R 4 例图3.1所示多级放大电路已知R10,R:=20ka,Re=2=3.3n, R=4R=-13R=3R=5.1,场效应管参数g=5mA/V,体管参数}= 6,:k=1ka,分析敢大电路的中频特性
例 1
例2 o VCc=12V Rcll R Rb1t15.1kQl 3.9k] 100μF 51k2 Rs门+2uF 1k] Rb slAke rel ttce [rc2 2.jko 100μF 43k2 1
例 2
3多级放大电路的频率响应 高频响应 h1 o(On)=(on)+p(2)+…+0(0n 2 低频响应 0=10n2+O,2+…C 12 (o)=(mon)+叭(O2)+…+(On) 多级放大电路带宽低于其中任一单级放大 电路,级数越多,带宽越窄
高频响应 多级放大电路带宽低于其中任一单级放大 电路，级数越多，带宽越窄 ( ) ( ) ( ) ( ) 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 1 h h h h n h h h n h = + + + + + + = 低频响应 ( ) ( ) ( ) ( ) 1 2 ln 2 ln 2 2 2 1 = + + + = + + l l l l l l §6.3 多级放大电路的频率响应