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《微机原理》课程电子教案(PPT课件讲稿)第五章 半导体存储器接口技术

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第五章半导体存储器接口技术 一、存储器地位 二、主存(内存) 1、当前计算机正执行的程序和数据均存放在存储器中。CPU直接从存储器取指令或存取数据。 2、计算机系统与外设数据传送速度加快,引入了直接存储器存取和IO通道技术,在外设与存储器间直接传送。 3、共享存储器多处理机的出现,利用存储器共享数据,并实现处理机间的通信。 三、辅存(外存) 四、存放主存的副本和当前不在运行的程序和数据。
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第五章半导体存储器接口技术 存储器地位 主存(内存) 1)当前计算机正执行的程序和数据均存放在存储器 中。CPU直接从存储器取指令或存取数据。 2)计算机系统与外设数据传送速度加快,引入了直 接存储器存取和ⅣO通道技术,在外设与存储器间直接传送 3)共享存储器多处理机的出现,利用存储器共享数 据,并实现处理机间的通信。 辅存(外存) 存放主存的副本和当前不在运行的程序和数据

第五章 半导体存储器接口技术 • 存储器地位 • 主存(内存) • 1)当前计算机正执行的程序和数据均存放在存储器 中。CPU直接从存储器取指令或存取数据。 • 2)计算机系统与外设数据传送速度加快,引入了直 接存储器存取和I/O通道技术,在外设与存储器间直接传送。 • 3)共享存储器多处理机的出现,利用存储器共享数 据,并实现处理机间的通信。 • 辅存(外存) • 存放主存的副本和当前不在运行的程序和数据

第五章半导体存储器接口技术 1、半导体存储器分类 掩膜ROM 组合ROM 只读可编程PROM ROM 电擦除 EPROM 半导体存储器 光擦除 EPROM 非易失性 静态 随机读取 双极性RAM 动态 RAM MOS型RAM 组合

第五章 半导体存储器接口技术 • 1、半导体存储器分类 半 导 体 存 储 器 只读 ROM 随机读取 RAM 掩膜ROM 可编程PROM 电擦除EPROM 光擦除EPROM 双极性RAM MOS型RAM 非易失性 静态 动态 组合 组合ROM

第五章半导体存储器接口技术 1、半导体存储器分类 1)只读存储器ROM- cread only memory 存储器中的信息只能读出,不能用普通方法 随时将信息写入。 存储器为非易失的。 用于存储操作系统,解释程序,汇编语言。 分类

第五章 半导体存储器接口技术 • 1、半导体存储器分类 – 1)只读存储器ROM------read only memory – 存储器中的信息只能读出,不能用普通方法 随时将信息写入。 – 存储器为非易失的。 – 用于存储操作系统,解释程序,汇编语言。 – 分类

第五章半导体存储器接口技术 1、半导体存储器分类 2)随机读写存储器RAM random access memory CPU可随时对其进行信息读写。 分成 双极型:存取速度快,常用于 Cache,髙速微机。 金属氧化物:集成度低,功耗低,价格便宜

第五章 半导体存储器接口技术 • 1、半导体存储器分类 – 2)随机读写存储器RAM – random access memory – CPU可随时对其进行信息读写。 – 分成 – 双极型:存取速度快,常用于Cache,高速微机。 – 金属氧化物:集成度低,功耗低,价格便宜

第五章半导体存储器接口技术 2、存储器主要性能指标 1)存储容量 2)存取时间 3)可靠性 4)功耗 5)价格

第五章 半导体存储器接口技术 • 2、存储器主要性能指标 – 1)存储容量 – 2)存取时间 – 3)可靠性 – 4)功耗 – 5)价格

第五章半导体存储器接口技术 3、存储系统 1)主辅存存储层次 辅助软硬设备 CPU 主存 辅存

第五章 半导体存储器接口技术 • 3、存储系统 • 1)主-辅存存储层次 CPU 主存 辅存 辅助软硬设备

第五章半导体存储器接口技术 3、存储系统 2) Cache-主存存储层次 辅助硬件 CPU ache 主存 高速缓冲存储器

第五章 半导体存储器接口技术 • 3、存储系统 • 2)Cache-主存存储层次 CPU Cache 主存 辅助硬件 高速缓冲存储器

第五章半导体存储器接口技术 3、存储系统 主-辅存层次解决了存储器的大容量和低 成本间的矛盾。 Cache-主存层次解决了速度与成本间的 矛盾。 现代计算机同时采用这两种存储层次, 构成 Cache-主存-辅存三级存储层次

第五章 半导体存储器接口技术 • 3、存储系统 • 主-辅存层次解决了存储器的大容量和低 成本间的矛盾。 • Cache-主存层次解决了速度与成本间的 矛盾。 • 现代计算机同时采用这两种存储层次, 构成Cache-主存-辅存三级存储层次

第五章半导体存储器接口技术 4、只读存储器 1)掩膜存储器: 电路由二极管,三极管或MOS管构成。 译码电路采用双译码。 16*64=1024

第五章 半导体存储器接口技术 •4、只读存储器 •1)掩膜存储器: • 电路由二极管,三极管或MOS管构成。 • 译码电路采用双译码。 行 列 16*64=1024

第五章半导体存储器接口技术 4、只读存储器 2)可重复擦写的只读存储器 INTEL27128: 基本特点 存储容量为128K, 最大访问时间为250ns, 片选信号CE 输出允许信号OE 编程信号PGM

第五章 半导体存储器接口技术 •4、只读存储器 •2)可重复擦写的只读存储器INTEL27128: • 基本特点 • 存储容量为128K, • 最大访问时间为250ns, • 片选信号CE • 输出允许信号OE • 编程信号PGM

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