第5章内存储器及其接口 5半导体存储器 52半导体存储器接口的基本技术 5316位和32位系统中的内存储器接口
1 第5章 内存储器及其接口 5.1 半导体存储器 5.2 半导体存储器接口的基本技术 5.3 16位和32位系统中的内存储器接口
5|导体存储器 ◆概述 RAM芯片的结构、工作原理及典型产品 ROM芯片的结构、工作原理及典型产品
2 5.1半导体存储器 v概述 vRAM芯片的结构、工作原理及典型产品 vROM芯片的结构、工作原理及典型产品
5|导体存储器 511概述 、基本结构 CPU 控制信号 时序/控制 地址闩存储体读写 MAR译码 驱动=MDRF 器 MB 器
3 5.1半导体存储器 5.1.1 概述 一、基本结构
存储器中的数据组织 在字节编址的计算机系统中 个内存地址对应一个字节单元, 16位字和32位双字各占有2和4个字节单元。 例32位双字12345678H占内存4个字节地址 24300H~24303H, 在内存中的存放如下 (a)为小数端存放 (b)为大数端存放 都以最低地址24300H为双字地址
4 二、存储器中的数据组织 在字节编址的计算机系统中， 一个内存地址对应一个字节单元， 16位字和32位双字各占有2和4个字节单元。 例32位双字12345678H占内存4个字节地址 24300H～24303H， 在内存中的存放如下： （a）为小数端存放 （b）为大数端存放 都以最低地址24300H为双字地址
存储器中的数据组织 24300H78H 12H 56H 34H 34H 56豆 24303H12H 78H X86系统 680X0系统 (b)
5 存储器中的数据组织
三、主要技术指标 1存储容量 指存储器可以容纳的二进制信息量 以存储器中存储地址寄存器MAR的编址数与存储 字位数的乘积表示; 2存储速度 可以用两个时间参数表示: 个是“存取时间”( Access Time)TA 定义为从启动一次存储器操作,到完成该操作所 经历的时间
6 三、主要技术指标 1.存储容量 指存储器可以容纳的二进制信息量 以存储器中存储地址寄存器MAR的编址数与存储 字位数的乘积表示； 2.存储速度 可以用两个时间参数表示： 一个是“存取时间”（Access Time）TA 定义为从启动一次存储器操作，到完成该操作所 经历的时间；
另一个是“存储周期”( Memory Cycle) TM 定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的 最小时间间隔; 3.可靠性 用MTBF( Mean Time between failures,平均 故障间隔时间)来衡量, MTBF越长,可靠性越高。 4性能/价格比
7 另一个是“存储周期”（Memory Cycle）TMC， 定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的 最小时间间隔； 3.可靠性 用MTBF（Mean Time Between Failures，平均 故障间隔时间）来衡量， MTBF越长，可靠性越高。 4.性能/价格比
四、分类 SRAM RAM DRAM 内存储器 ROM PROM ROM EPROM E2PROM 存储器 FLASH MEMORY FLOPPY DISK DISK HARD DISK 外存储器 CD OPTICAL DISK DVD
8 四、分类 SRAM RAM DRAM 内存储器 ROM PROM ROM EPROM E2PROM 存储器 FLASH MEMORY FLOPPY DISK DISK HARD DISK 外存储器 CD OPTICAL DISK DVD MO
512RAM芯片的结构、工作原理及典型产品 内部结构 AAAAA 0 32×32=1024 译 234 地址反相器 码 驱动器 存储单元 器|31 (S) 31 32 32 ·· 32 I/O电路 输出→输出 输入—-控制 Y译码器 驱动 电路 2 3132 读/写选片「地址反相器(5) 546 8 9
9 5.1.2 RAM芯片的结构、工作原理及典型产品 一、内部结构
1SRAM的存储单元 x地址译码线 ,HH T (IO)接Y地址译码器(Io) 2单管DRAM的存储单元 地址选通 数据线
10 1.SRAM的存储单元 2.单管DRAM的存储单元
