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华中科技大学:《微型计算机常用外部设备》课程PPT教学课件_第四章 数字磁记录原理

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一、模拟磁记录:需要记忆和存储的信息是随时间连续变化的,记录介质上留下按一定规律变化的磁场。 二、数字磁记录:被记录的信号是脉冲信号,记录介质上留下的是一连串等距或不等距的饱和磁化翻转。
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第四章数字磁记录原理 ■模拟磁记录:需要记忆和存储的信息是随时间连 续变化的,记录介质上留下按一定规律变化的磁 场 ■数字磁记录:被记录的信号是脉冲信号,记录介 质上留下的是一连串等距或不等距的饱和磁化翻 转

第四章 数字磁记录原理 ◼ 模拟磁记录:需要记忆和存储的信息是随时间连 续变化的,记录介质上留下按一定规律变化的磁 场。 ◼ 数字磁记录:被记录的信号是脉冲信号,记录介 质上留下的是一连串等距或不等距的饱和磁化翻 转

4.1概述 磁记录的基本过程 ■写入过程 媒体的礅化过程 读出过程 数据的恢复过程 存储过程 ■抹除过程 磁带机:直流抹除 硬盘机:重写覆盖 软盘机:边缘抹除

◼ 写入过程 媒体的磁化过程 ◼ 读出过程 数据的恢复过程 ◼ 存储过程 ◼ 抹除过程 磁带机:直流抹除 硬盘机:重写覆盖 软盘机:边缘抹除 i v 4.1 概述 一、磁记录的基本过程

二、磁存储设备的主要技术参数 1.道密度:沿磁盘径向单位长度的磁道数(TPI或TPMD 信息道

二、磁存储设备的主要技术参数 1. 道密度:沿磁盘径向单位长度的磁道数(TPI或TPMM) W G Dt + = 1 G W 信息道

2.位密度:磁道单位长度上所记录的二进制数的位 数(bpi或bpm) ft b 元D min f:数传率(b/s) t:每转时间(s) Dn:最内圈磁道直径 等位密度记录 变频法 变速法

2. 位密度:磁道单位长度上所记录的二进制数的位 数(bpi或bpmm) Dmin ft Db  = f : 数传率 ( b/s ) t : 每转时间(s) Dmin : 最内圈磁道直径 等位密度记录: 变频法 变速法

3.面密度:单位面积上所记录的二进制数的位数 b/n2或b/mm2) 4.存储容量:存储器所能容纳的二进制数码的总量 (b或B) 非格式化容量 Cd fmn f:数传率(b/s) t:每转时间(s) m:记录面数 n:每面磁道数

3. 面密度:单位面积上所记录的二进制数的位数 ( b/in2 或 b/mm2 ) 4. 存储容量: 存储器所能容纳的二进制数码的总量 ( b 或 B ) 非格式化容量: Cd = ftmn f : 数传率 ( b/s ) t : 每转时间(s) m : 记录面数 n : 每面磁道数

5存取时间:从所在位置到达所卿求的某一位置,并 完成写入或读出所卿的全部时间 seek wait Tread/write △△ 前 标 标 道 道始 读写完毕 段 T:找道时间,平均找道时间T3=(Tm+ma)/2 Tw:等待时间,平均等待时间Tw=t/2 平均存取时间Tn≈Ta +Iwa

5. 存取时间:从所在位置到达所需求的某一位置,并 完成写入或读出所需的全部时间. Ts : 找道时间, 平均找道时间 Tsa= (Ts(min) +Ts(max) ) / 2 Tw : 等待时间, 平均等待时间 Twa = t / 2 平均存取时间 Ta ≈ Tsa + Twa Tseek Twait Tread/write 当 前 道 目 标 道 目 标 始 扇 段 读 写 完 毕

6.数传率:单位时间内外存储设备向主存储器传送数 码的位数 f= D. v :菜体相对于RW的移动速度 7.误码率:写入一批数据并回读后所检出的错误位数 与这一批数据总位数之比 软错误:经检错后能纠正的错误 硬错误:经检错后不能纠正的错误 磁盘的原始误码率:109~1012 光盘的原始误码率:105~106

6. 数传率:单位时间内外存储设备向主存储器传送数 码的位数. f = Db·V V : 媒体相对于R/W头的移动速度 7. 误码率:写入一批数据并回读后所检出的错误位数 与这一批数据总位数之比. 软错误:经检错后能纠正的错误 硬错误:经检错后不能纠正的错误 磁盘的原始误码率:10-9 ~ 10-12 光盘的原始误码率:10-5 ~ 10-6

磁学基础 1.磁感应强度B、磁化强度M和磁场强度H的关系 B H 在I制中 A/m 磁导率(H/m) T(特斯拉) M=XH 化率 A/m

三、磁学基础 1. 磁感应强度B、磁化强度M和磁场强度H的关系 B =  H 在SI制中 A/m 磁导率(H/m) T(特斯拉) M =  H 磁化率 A/m

2、磁滞回线 重要参数 H:矫顽力 M:剩余磁化强度 M。:饱和磁化强度 S:矩形比=Mr/M

2、磁滞回线 Mr Hc H M -Hc -Mr Ms -Ms 0 a b c d e f 重要参数 Hc : 矫顽力 Mr :剩余磁化强度 Ms :饱和磁化强度 S : 矩形比 = Mr / Ms

3、安培环路定律 Hdi=>I 磁场强度向量沿一闭合路径的线积分 等于该闭合路径所包围的电流和

磁场强度向量沿 一闭合路径的线积分 等于该闭合路径所包围的电流和 3、安培环路定律  Hdl = I

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