《材料化学导论》课程授课教案（讲稿）第9讲 3.4基于气-固相转变的材料制备

第9讲s3.4基于气-固相转变的材料制备材料化学导论课程教案83.4基于气一固相转变的材料制备【目的要求】通过本讲课程的学习，掌握物理气相沉积和采用化学气相沉积法制备材料。本讲课程在加强学生对基础理论知识的同时，列举不同的实例，注重学术灵活应用能力的培养；并引导学生学以致用的理念，让学生充分感受到学有所用，提高学生的学习兴趣。【重点】物理气相沉积和化学气相沉积的方法，特点；【难点】物理气相沉积和化学气相沉积的机理【本讲课程的内容】3.4.1物理气相沉积法物理气相沉积法是利用高温热源将原料加热至高温，使之气化或形成等离子体，然后在基体上冷却凝聚成各种形态的材料（如晶须，薄膜，晶粒等）。所用的高温热源包括电阻、电弧、高频电场或等离子体等，由此衍生出各种PVD技术，其中以阴极溅射法和真空蒸镀较为常用。（1）真空蒸镀真空蒸镀或真空蒸发沉积法是在真空条件下通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面。目前是一种常用的镀膜技术，设备如下图所示。待蒸发物质作为蒸发源置于内或挂在热丝上，待渡基片置于前方。待系统抽至高真空后，加热使其中物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。按真室总养真空蒸发镀膜装置示意图1-衬底加热器2-衬底3一原料4一料舟蒸发手段有三种：一是电阻加热：二是用高频感应电流加热和蒸发物质。三是用电子束轰击材料便其蒸发，适用子蒸发温度较高的材料。优点：具有较高沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。使用多种金属作为蒸

§3.4 基于气-固相转变的材料制备 材料化学导论课程教案 第 9 讲 §3.4 基于气-固相转变的材料制备 【目的要求】通过本讲课程的学习，掌握物理气相沉积和采用化学气相沉积法制备材料。本 讲课程在加强学生对基础理论知识的同时，列举不同的实例，注重学术灵活应用能力的培养； 并引导学生学以致用的理念，让学生充分感受到学有所用，提高学生的学习兴趣。 【重 点】 物理气相沉积和化学气相沉积的方法，特点； 【难 点】 物理气相沉积和化学气相沉积的机理 【本讲课程的内容】 3.4.1物理气相沉积法 物理气相沉积法是利用高温热源将原料加热至高温，使之气化或形成等离子体，然后在 基体上冷却凝聚成各种形态的材料（如晶须，薄膜，晶粒等）。所用的高温热源包括电阻、电 弧、高频电场或等离子体等，由此衍生出各种 PVD 技术，其中以阴极溅射法和真空蒸镀较为 常用。 （1）真空蒸镀 真空蒸镀或真空蒸发沉积法是在真空条件下通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表 面。 目前是一种常用的镀膜技术，设备如下图所示。待蒸发物质作为蒸发源置于坩埚内或挂 在热丝上，待渡基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中物质蒸发。蒸发 物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。 1-衬底加热器 2-衬底 3－原料 4－料舟 蒸发手段有三种：一是电阻加热；二是用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。三是用电 子束轰击材料使其蒸发，适用于蒸发温度较高的材料。 优点：具有较高沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。使用多种金属作为蒸

第9讲s3.4基于气-固相转变的材料制备材料化学导论课程教案发源可以得到合金膜，也可以直接利用合金作为单一蒸镀源，得到相应的合金膜。用途：用于制备导电薄膜，半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜（2）阴极溅射也称为溅镀，它是利用高能粒子轰击固体表面（靶材），使靶材表面的原子或原子团获得能量并逸出表面，然后在基片（工件）的表面沉积形成与靶材成分相同的薄膜。这种方法借助专门的阴极溅射设备。通常将欲沉积的材料制成板材作为靶，固定在阴极上，待镀膜的工件置于正对靶材的阳极上，距靶几厘米。该设备主要有一个钟罩构成，钟罩内同1-10Pa的情性气体（通常是氩气或氢气），气体处于数千伏的电势差中，产生辉光放电，可以便工作气氛（气体被离子化）原子电离成等离子体。等离子体中的正离子在电场作用下轰击阴极的块状固体靶材，（正离子被加速飞向阴极，阴极（靶材）被这些高能离子解离，靶材表面溅出离子、原子或原子团，这些物质沉积到衬底上成膜。91工作气筑接真空溅射腔示意图1-衬底加热器2-衬底3一等离子体4一靶材优点：由于溅射的原子具有大的能量，初始原子撞击基质表面即进入几个原子层深度，这有助于薄膜层与基质间良好的附着力。而且可以改变靶材料产生多种溅射原子，并不破坏原有系统，因此可以形成多层薄膜缺点：是靶材的制造受限制、析镀速率低等。（3）离子镀离子镀就是蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面。它是真空蒸镀与阴极溅射技术的结合。离子镀系统示意图如下图所示：

§3.4 基于气-固相转变的材料制备 材料化学导论课程教案 第 9 讲 发源可以得到合金膜，也可以直接利用合金作为单一蒸镀源，得到相应的合金膜。 用途：用于制备导电薄膜，半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜 （2）阴极溅射 也称为溅镀，它是利用高能粒子轰击固体表面（靶材），使靶材表面的原子或原子团获得 能量并逸出表面，然后在基片（工件）的表面沉积形成与靶材成分相同的薄膜。 这种方法借助专门的阴极溅射设备。通常将欲沉积的材料制成板材作为靶，固定在阴极 上，待镀膜的工件置于正对靶材的阳极上，距靶几厘米。该设备主要有一个钟罩构成，钟罩 内同 1-10Pa 的惰性气体（通常是氩气或氦气），气体处于数千伏的电势差中，产生辉光放电， 可以使工作气氛（气体被离子化）原子电离成等离子体。等离子体中的正离子在电场作用下 轰击阴极的块状固体靶材，（正离子被加速飞向阴极，阴极（靶材）被这些高能离子解离，靶 材表面溅出离子、原子或原子团，这些物质沉积到衬底上成膜。 溅射腔示意图 1-衬底加热器 2-衬底 3－等离子体 4－靶材 优点：由于溅射的原子具有大的能量，初始原子撞击基质表面即进入几个原子层深度， 这有助于薄膜层与基质间良好的附着力。而且可以改变靶材料产生多种溅射原子，并不破坏 原有系统，因此可以形成多层薄膜。 缺点：是靶材的制造受限制、析镀速率低等。 （3）离子镀 离子镀就是蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面。它是真空蒸镀与 阴极溅射技术的结合。 离子镀系统示意图如下图所示：

第9讲s3.4基于气-固相转变的材料制备材料化学导论课程教案精物↑O2Ni的蒸气VAr辉光放电区域MR蒸发源加热器将基片台做阴极，外壳做阳极，充入工作气体（氩气等情性气体）以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生分离。正离子被基片台负压加速打到基片表面。未电离的中性原子也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离子化蒸汽分子的加速作用和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度大大提高。离子镀工艺综合了蒸发（高沉积速率）与溅射（良好的膜层附着力）工艺的特点，并有很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。另外它还改善来其它方法所得到的薄膜的耐磨性、耐摩擦性、耐腐蚀性等方面的不足。3.4.2化学气相沉积法(CVD法）(一)、定义是指通过气相反应生成固态产物并沉积在固体表面的过程。实质上是利用金属化合物的蒸汽，通过化学反应生成所需要的化合物，在保护气体环境下快速冷凝，从而制备各类物质。（二）、制备过程典型的是两种或两种以上的气态原料导入到反应沉积室内，然后气体之间发生化学反应，形成一种新材料，沉积到基片表面上。激光气相反应区域原料气体(SiH4等)（薄膜、粉、纤SiH.SiH.SH,SHSi.H等的活性基团或rs)维等离子化物质，H.e等电场（辉光放电、弧光放电等）(1)气相反应物的形成；（2）气相反应物传输到沉积区域：

§3.4 基于气-固相转变的材料制备 材料化学导论课程教案 第 9 讲 将基片台做阴极，外壳做阳极，充入工作气体（氩气等惰性气体）以产生辉光放电。从 蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生分离。正离子被基片台负压加速打到基片表面。未电 离的中性原子也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离子化蒸汽分子的加速作用和氩离子对 基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度大大提高。 离子镀工艺综合了蒸发（高沉积速率）与溅射（良好的膜层附着力）工艺的特点，并有 很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。另外它还改善来其它方法所得到的薄膜的耐磨性、 耐摩擦性、耐腐蚀性等方面的不足。 3.4.2 化学气相沉积法(CVD 法) （一）、定义 是指通过气相反应生成固态产物并沉积在固体表面的过程。 实质上是利用金属化合物的蒸汽，通过化学反应生成所需要的化合物，在保护气体环境 下快速冷凝，从而制备各类物质。 （二）、制备过程 典型的是两种或两种以上的气态原料导入到反应沉积室内，然后气体之间发生化学反应， 形成一种新材料，沉积到基片表面上。 (1)气相反应物的形成； (2)气相反应物传输到沉积区域；

第9讲s3.4基于气-固相转变的材料制备材料化学导论课程教案(3)固体产物从气相中沉积于衬底。（三）、化学气相沉积法的种类根据反应能源来说，CVD技术可分为热能化学气相沉积（thermalCVD），等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）；光化学气相沉积（PHCVD），激光化学气相沉积法（L-CVD）。如按照其它压力大小可分为：常压化学气相沉积（APCVD）：低压化学气相沉积（LPCVD）、高压化学气相沉积法（HP-CVD）；超高真空化学气相沉积（UHCVD）等。（四）、化学气相沉积法的化学反应类型CVD法所涉及的化学反应主要有热分解、氢还原、卤化物的金属还原、氧化和水解、碳化和氮化等。1.热分解反应热分解反应中，化合物分子吸收热能而分解为单质或较小的化合物分子。依据所选用原料的不同，将热解法分类如下：（1）氢化物热分解氢化物M-H键的离解能比较小，热解温度低，惟一副产物是没有腐蚀性的氢气。例如：石墨，金刚石和碳的其它同素异构提可以通过烃类热解得到：CH4(e)-----C(s)+ H2()（2）卤化物热分解一些金属沉积物可以通过其卤化物热分解得到。例如钨和钛的沉积：WF→>W(s) +3F2(g)Til4 → Ti(s)+2I2(g)(3）羰基化合物热解金属有机化合物其M-C键的离解能一般小于C-C键，温度控制合适，可使之选择性优先热解。金属羰基化合物受热释放出一氧化碳并得到金属的单质。可广泛用于沉积高附着性的金属膜。如Ni(CO)4(g）→Ni(s)+4CO(g））(4)烷氧化物热分解元素的烷氧基配合物则由于其M-0键的电离能大于C-0键，可用来沉积氧化物。例如：Si(OC, H,)4740CSiO, +4C,H4 +2H,02Al(OC,H,)420°CAl,O,+6C,H,+3H,O

§3.4 基于气-固相转变的材料制备 材料化学导论课程教案 第 9 讲 (3)固体产物从气相中沉积于衬底。 （三）、化学气相沉积法的种类 根据反应能源来说，CVD 技术可分为热能化学气相沉积（thermal CVD）, 等离子体增强 化学气相沉积法（PECVD）；光化学气相沉积（PHCVD），激光化学气相沉积法（L-CVD）。 如按照其它压力大小可分为：常压化学气相沉积（APCVD）；低压化学气相沉积（LPCVD）、 高压化学气相沉积法（HP-CVD）；超高真空化学气相沉积（UHCVD）等。 （四）、化学气相沉积法的化学反应类型 CVD 法所涉及的化学反应主要有热分解、氢还原、卤化物的金属还原、氧化和水解、碳 化和氮化等。 1. 热分解反应 热分解反应中，化合物分子吸收热能而分解为单质或较小的化合物分子。依据所选用原 料的不同，将热解法分类如下： （1）氢化物热分解 氢化物 M-H 键的离解能比较小，热解温度低，惟一副产物是没有腐蚀性的氢气。 例如：石墨，金刚石和碳的其它同素异构提可以通过烃类热解得到： CH4(g)-C(s) + H2(g) （2）卤化物热分解 一些金属沉积物可以通过其卤化物热分解得到。例如钨和钛的沉积： 6 (s) 2( ) 4 ( 2 3 +2I g s WF W F TiI Ti    ） （g) (3) 羰基化合物热解 金属有机化合物其 M-C 键的离解能一般小于 C-C 键，温度控制合适，可使之选择性优先 热解。金属羰基化合物受热释放出一氧化碳并得到金属的单质。可广泛用于沉积高附着性的 金属膜。如 4( ) ( ) ( ) ( ) 4 Ni CO Ni CO g s g   ) (4)烷氧化物热分解 元素的烷氧基配合物则由于其 M-O 键的电离能大于 C-O 键，可用来沉积氧化物。 例如： 2 5 4 2 2 4 2 Si H CSiO C H H O (OC ) 740 4 2     3 7 6 2 3 3 6 2 2Al(OC ) 420 6 3 H CAl O C H H O    

第9讲s3.4基于气-固相转变的材料制备材料化学导论课程教案（5）金属有机化合物与氢化物体系热分解利用这类热解体系，可在各种半导体或绝缘衬底上制备化合物半导体。例如：Ga(CH,),+AsH,630-675°CGaAs+3CHZn(C,H,),+H,Se725-750°CZnSe+2C,H2.氢还原反应主要利用氢气将一些元素从其卤化物中还原出来沉积各种金属和半导体。例如，用四氯化硅的氢还原法生长硅外延片，反应为：SiCl4 +2H, →Si+4HCI3.金属还原反应第四副族的元素如钛、锆、等较难通过氢还原得到，而采用锌，镉，镁等金属单质作为还原剂则较容易实现。例如用金属镁从四氯化钛中还原金属钛：TiCl(g)+2Mg(s）→Tics)+2MgClg)4．其它反应（1）氧化反应氧化剂可采用氧气或二氧化碳，例如沉积二氧化硅的反应SiCl (g) + 02(g)→ Si0z(s) +2C12(g)-SiH (g) + 0 (g)→ Si02(s) + 2Hz(g)SiCl4(g)+2C02(g)+2H(g)→Si02(s)+4HC1(g)+ 2C0(g)（2）水解反应水解反应时另一个生成氧化物的重要反应。例如卤化物水解形成氧化物和卤化氢：SiCl (g)+2Ho(g)→Si0,(s) +4HC1(g)一TiCl(g) + 2H0(g) —→Ti02(s)+4HC1(g)2A1Cl3(g)+3H0(g)→ Al20 (s) + 6HC1(g):（3）碳化和氮化反应碳化是指碳化物的沉积，一般是用卤化物与烃类（如甲烷）反应，例如碳化钛的沉积：TiCl (g) + CH(g)TiCl(s) + 4HC1(g)氮化则是氮化物的沉积，前驱体可采用卤化物，例如氮化钛的沉积反应：4Fe(s)+2TiCl4(g)+N2(g)→2TiN(s)+4FeCl2(g)（4）氨解反应通过氨解反应可以沉积氮化物。例如半导体工业中普遍采用CVD沉积氮化硅，总的反应

§3.4 基于气-固相转变的材料制备 材料化学导论课程教案 第 9 讲 （5）金属有机化合物与氢化物体系热分解 利用这类热解体系，可在各种半导体或绝缘衬底上制备化合物半导体。例如： 3 3 3 4 Ga CH CGaAs CH ( +AsH 630 675 3 ）     Zn( +H 725 750 2 C H Se CZnSe C H 2 5 2 2 2 6 ）     2. 氢还原反应 主要利用氢气将一些元素从其卤化物中还原出来沉积各种金属和半导体。 例如，用四氯化硅的氢还原法生长硅外延片，反应为： SiCl 2H Si+4HCl 4 2   3． 金属还原反应 第四副族的元素如钛、锆、铪等较难通过氢还原得到，而采用锌，镉，镁等金属单质作 为还原剂则较容易实现。 例如用金属镁从四氯化钛中还原金属钛： TiCl +2Mg Ti 2MgCl ( ) ) ) g） （s   （s （g 4． 其它反应 （1）氧化反应 氧化剂可采用氧气或二氧化碳，例如沉积二氧化硅的反应： SiCl4 (g) + O2(g) SiO2(s) + 2Cl2(g) SiH4 (g) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g) SiCl4 (g) + 2CO2(g) + 2H2(g) SiO2(s) + 4HCl(g)+ 2CO(g) （2）水解反应 水解反应时另一个生成氧化物的重要反应。例如卤化物水解形成氧化物和卤化氢： SiCl4 (g) + 2H2O(g) SiO2(s) + 4HCl(g) TiCl4 (g) + 2H2O(g) TiO2(s) + 4HCl(g) 2AlCl3 (g) + 3H2O(g) Al2O3(s) + 6HCl(g) （3）碳化和氮化反应 碳化是指碳化物的沉积，一般是用卤化物与烃类（如甲烷）反应，例如碳化钛的沉积： TiCl4 (g) + CH4(g) TiCl4(s) + 4HCl(g) 氮化则是氮化物的沉积，前驱体可采用卤化物，例如氮化钛的沉积反应： 4Fe(s) + 2TiCl4 (g) + N2(g) 2TiN(s) + 4FeCl2(g) （4）氨解反应 通过氨解反应可以沉积氮化物。例如半导体工业中普遍采用 CVD 沉积氮化硅，总的反应

第9讲S3.4基于气-固相转变的材料制备材料化学导论课程教案如下：3SiCl4(g)+4NH(g)SisN4(s)+12HC1(g)（五）、化学气相输运法1.概念：化学输运反应是把所需要的沉积物质作为反应源物质，用适当的气体介质与之反应，形成一种气态化合物，并借助于载气将这种气态化合物输运到与源区温度不同的沉积区，然后再利用逆反应，使反应源物质重新沉积出来。反应过程可以用以下方程式表示：A(s)+ B(g) AB(g) A(s)+ B(g)气相输运法的设备是由一根石英玻璃管组成，在一端装有反应物A（固体），石英玻璃管在抽真空下熔封或更常见的是充以气相输运剂B（图a所示）的气氛后加以熔封，管子放入一双温区电炉内，使管内保持一个温度梯度，典型的是沿着管长方向使温度变化度变化50℃左右。物质A和B互相反应生成气态物质AB，它在管的另一端分解沉积出晶体A（图（b））。玻璃管福UB(气)(a)8AB(气)平衡：A(园)+B(气)一AB(气)(b)图3-2生长品体A物质的简单气相输运实验示惠图2.机理：以制备单晶为例，设固体原料与输运气体存在以下平衡：A(s)+ B(g) ≤ AB(g)平衡常数K,与相分压Pa和Pa的关系为：K，=PaB//PB因为△G°(T)=-RTLnK，如果LnK,接近于零，K就接近于1，这样可以通过控制固体源区和沉淀区的温度差来改变上述反应的方向。Van”tHoff（范托夫）方程表示反应平衡常数K，随温度变化的关系：,lnK,//dT=AH°/RT?对上式积分，得lnK,(T)-InK,(T)=-(-六RTT如果反应为吸热反应，△H为正，TI、T,分别为沉积区和源区的温度。当T>T2，上式的

§3.4 基于气-固相转变的材料制备 材料化学导论课程教案 第 9 讲 如下： 3SiCl4 (g) + 4NH3(g) Si3N4(s) + 12HCl(g) （五）、化学气相输运法 1.概念：化学输运反应是把所需要的沉积物质作为反应源物质，用适当的气体介质与之 反应，形成一种气态化合物，并借助于载气将这种气态化合物输运到与源区温度不同的沉积 区，然后再利用逆反应，使反应源物质重新沉积出来。 反应过程可以用以下方程式表示： A(s)  B(g)  AB(g)  A(s)  B(g) 气相输运法的设备是由一根石英玻璃管组成，在一端装有反应物 A(固体)，石英玻璃管 在抽真空下熔封或更常见的是充以气相输运剂 B（图 a 所示）的气氛后加以熔封，管子放入 一双温区电炉内，使管内保持一个温度梯度，典型的是沿着管长方向使温度变化度变化 50℃ 左右。物质 A 和 B 互相反应生成气态物质 AB，它在管的另一端分解沉积出晶体 A（图(b)）。 2.机理： 以制备单晶为例，设固体原料与输运气体存在以下平衡： A(s)  B(g)  AB(g) 平衡常数 Kp与相分压 PB和 PAB的关系为： B AB p p p K  因为 G T  RTLnKp  ( ) ，如果 LnKp 接近于零，Kp就接近于 1，这样可以通过控制固 体源区和沉淀区的温度差来改变上述反应的方向。Van’t Hoff（范托夫）方程表示反应平衡 常数 Kp随温度变化的关系： 2 / ln H RT dT K d p    对上式积分，得 2 1 2 1 1 1 ln ( ) ln ( ) ( R T T H Kp T Kp T       ） 如果反应为吸热反应， H 为正，Tl、T2分别为沉积区和源区的温度。当 Tl T2，上式的

第9讲3.4基于气-固相转变的材料制备材料化学导论课程教案右边为正值，则K,(T)>K,(T）即当温度升高时，由左向右的反应平衡常数增大，反应容易进行；降低温度时，由左向右的反应平衡常数小，也就是由右向左的反应容易进行。因此，控制固体源区温度高于沉积区，可以将固体由高温区输运到低温区，并在低温区沉积。反之，如果反应为放热反应，则应该控制固体源区温度低于沉积区，这样可以将固体物质由低温区向高温区输运。气相输运技术也可以用于新化合物的合成，即利用输运气体B在T，温度下把固态反应物变为气态中间体AB，然后在温度T.再与另一反应物C反应生产新化合物，其反应过程：T2温度下：A(s)+B(g)AB(g)T.温度下：AB(g)+C(s)AC(s)+B(g)总反应：A(s)+C(s)AC(s)（六）CVD法的优点（1）它能制备几乎任何几何形态的固体产物的形材料；（2）产物的形成不受动力学因素和扩散的制约，可以在相对低的温度条件下进行固体合成：（3）产物的均匀程度和化学计量容易控制：（4）能实现掺杂剂浓度的控制。【本讲课程的小结】本讲课主要讨论了（1）物理气相沉积法；（2）化学气相沉积法。【本讲课程的作业】单晶硅棒和厚度约lum的薄膜分别可以用什么方法制备？【本讲课程的思考题】液相外延法和气相沉积都可以制备薄膜，如果要制备纳米厚度薄膜，应采用哪种方法？

§3.4 基于气-固相转变的材料制备 材料化学导论课程教案 第 9 讲 右边为正值，则 ( ) ( ), Kp T2  Kp T1 即当温度升高时，由左向右的反应平衡常数增大，反应容 易进行；降低温度时，由左向右的反应平衡常数小，也就是由右向左的反应容易进行。因此， 控制固体源区温度高于沉积区，可以将固体由高温区输运到低温区，并在低温区沉积。反之， 如果反应为放热反应，则应该控制固体源区温度低于沉积区，这样可以将固体物质由低温区 向高温区输运。 气相输运技术也可以用于新化合物的合成，即利用输运气体 B 在 T2温度下把固态反应物 变为气态中间体 AB，然后在温度 T1再与另一反应物 C 反应生产新化合物，其反应过程： T2温度下： A( ) ( ) ( ) s g g  B AB  T1温度下： AB(g) (s) (s) ( )   C AC B  g 总反应： A( ) (s) (s) s C AC  （六）CVD 法的优点 （1）它能制备几乎任何几何形态的固体产物的形材料； （2）产物的形成不受动力学因素和扩散的制约，可以在相对低的温度条件下进行固体合 成；（3）产物的均匀程度和化学计量容易控制； （4）能实现掺杂剂浓度的控制。 【本讲课程的小结】 本讲课主要讨论了（1）物理气相沉积法；（2）化学气相沉积法。 【本讲课程的作业】单晶硅棒和厚度约 1um 的薄膜分别可以用什么方法制备？ 【本讲课程的思考题】液相外延法和气相沉积都可以制备薄膜，如果要制备纳米厚度薄膜， 应采用哪种方法？