ACS Publications High qualty High impact. a .MB in H2O -SiO2-MB -.Si02 400 500600700 800 Wavelength(nm) Nitrogen map Silicon map Characterizations of Si02-MB NPs.(a)Typical TEM image of the Si02-MB NPs.(b) Absorption spectra taken from pure MB,Si02-MB NPs,and pure Si02 NPs in aqueous solutions.(c)Filtered bright-field TEM image of single NP and the corresponding EELS maps of (d)nitrogen and (e)silicon.The scale bar is 20 nm. Published in:Silu Zhang:Zhiqin Chu:Chun Yin:Chunyuan Zhang:Ge Lin:Quan Li:.Am.Chem.Soc.2013,135,5709-5716. D0I:10.1021/ja3123015 Copyright o 2013 American Chemical Society
Characterizations of SiO2-MB NPs. (a) Typical TEM image of the SiO2-MB NPs. (b) Absorption spectra taken from pure MB, SiO2-MB NPs, and pure SiO2 NPs in aqueous solutions. (c) Filtered bright-field TEM image of single NP and the corresponding EELS maps of (d) nitrogen and (e) silicon. The scale bar is 20 nm. Published in: Silu Zhang; Zhiqin Chu; Chun Yin; Chunyuan Zhang; Ge Lin; Quan Li; J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 5709-5716. DOI: 10.1021/ja3123015 Copyright © 2013 American Chemical Society
ACS Publications 69 High qua内High impact 80 60 -Deionized Water .-pH7.4 PBS ·-Simulated body fluid 0246$0216 2 24680 e Time(days) Time(days) Time(days) Carrier decomposition of Si02-MB NPs.Typical TEM images of the Si02-MB NPs after being immersed in deionized water for (a)1,(b)4,(c)9,and (d)14 days,respectively.The scale bar is 100 nm.ICP-OES result of degraded silicon amount as a function of immersion duration in (e)deionized water at room temperature,(f)PBS (pH 7.4),and (g)simulated body fluid (with 50%FBS)at 37 C. Published in:Silu Zhang:Zhiqin Chu:Chun Yin:Chunyuan Zhang:Ge Lin;Quan Li:Am.Chem.Soc.2013,135,5709-5716. D0I:10.1021/ja3123015 Copyright o 2013 American Chemical Society
Carrier decomposition of SiO2-MB NPs. Typical TEM images of the SiO2-MB NPs after being immersed in deionized water for (a) 1, (b) 4, (c) 9, and (d) 14 days, respectively. The scale bar is 100 nm. ICP-OES result of degraded silicon amount as a function of immersion duration in (e) deionized water at room temperature, (f) PBS (pH 7.4), and (g) simulated body fluid (with 50% FBS) at 37 °C. Published in: Silu Zhang; Zhiqin Chu; Chun Yin; Chunyuan Zhang; Ge Lin; Quan Li; J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 5709-5716. DOI: 10.1021/ja3123015 Copyright © 2013 American Chemical Society
电子显微分析之一 透射电子显微分析 第1节电子与固体作用产生的信号 第2节工作原理及构造* 第3节样品制备 第4节基本成像操作及相衬度* 第5节典型应用*及其他功能简介
3 电子显微分析 之一 透射电子显微分析 第1节 电子与固体作用产生的信号 第2节工作原理及构造* 第3节 样品制备 第4节 基本成像操作及相衬度* 第5节典型应用*及其他功能简介
第1节电子与固体作用产生的信号 01.电子与固体作用产生的信号 02.电子非弹性散射平均自由程和信 息深度 03.电子能谱
4 第1节 电子与固体作用产生的信号 Ø1. 电子与固体作用产生的信号 Ø2. 电子非弹性散射平均自由程和信 息深度 Ø3. 电子能谱
1.电子与固体作用产生的信号 表面元素发射的总强度 背散射电子流 X射线 二次电子流 样品吸收电流 透射电子流 图33入射电子束与固体作用产生的发射现象
5 1. 电子与固体作用产生的信号 图3-3 入射电子束与固体作用产生的发射现象 背散射电子流 二次电子流 X射线 表面元素发射的总强度 透射电子流 样品吸收电流
I表示二次电子流，它包括（真）二次电子和特征二次电 子（俄歇电子），从表面发射出去的二次电子流与入射 电子流的比值(1Ⅱ)称为二次电子产额，用口表示。 <a经) 二次电子产额与电子能量和入射角的普遍关系
6 I S表示二次电子流，它包括（真）二次电子和特征二次电 子（俄歇电子），从表面发射出去的二次电子流与入射 电子流的比值（I S /I 0）称为二次电子产额，用 表示。 二次电子产额与电子能量和入射角的普遍关系
入射电子束 A B (a) is 形貌衬度原理 (b) B (c) D 7
7 形貌衬度原理
8
8
粉体形貌观察 (a)300× (b)6000× a一Al0,团聚体(a)和团聚体内部的一次粒子结构形态(b)
9 粉体形貌观察 α—Al2O3团聚体(a)和 团聚体内部的一次粒子结构形态(b) (a) 300× (b) 6000×
●○ I表示电子激发诱导的X射线辐射强度 I①连续的X射线 [②特征X射线 ③X射线荧光 （二次特征X射线)
10 IX表示电子激发诱导的X射线辐射强度 l ①连续的X射线 l ②特征X射线 l ③X射线荧光（二次特征X射线）