第6章主存储器 6.1半导体存储器的分类 ·6.2读写存储器RAM ·6.3现代RAM 6.4只读存储器ROM
第6章 主存储器 • 6.1 半导体存储器的分类 • 6.2 读写存储器RAM • 6.3 现代RAM • 6.4 只读存储器ROM
6.1半导体存储器的分类(P199) 存储器 存储器用来存储二进制位(0或1)的部件 存储器是计算机的基本组成部分,用来存放工作所 需的程序或数据 存储器在传统上分为内存和外存,随着技术的 发展,在内存上面又加了一级存储器,称为高速缓存 器
6.1 半导体存储器的分类（P199） 存储器 存储器用来存储二进制位(0或1)的部件。 存储器是计算机的基本组成部分,用来存放工作所 需的程序或数据。 存储器在传统上分为内存和外存,随着技术的 发展,在内存上面又加了一级存储器,称为高速 缓 存 器
6.1半导体存储器的分类 ■ Cache与内存储器 高速缓冲存储器0。这个存储器所用芯片都是高 速的,其存取速度可与微处理器相匹配,容量由几十K 几百K字节,通常用来存储当前使用最多的程序或数据 内存储器,速度要求较快(低于 Cache),有一定容量 (受地址总线位数限制),一般都在几十兆字节以上
6.1 半导体存储器的分类 Cache与内存储器 高速缓冲存储器()。这个存储器所用芯片都 是 高 速的,其存取速度可与微处理器相匹配,容量由几 十 K ～ 几百K字节,通常用来存储当前使用最多的程序或数据 。 内存储器,速度要求较快(低于Cache),有一定容量 (受地址总线位数限制),一般都在几十兆字节以上
6.1半导体存储器的分类 ■外存 外存,速度较慢,但要求容量大,如磁带,软盘, 硬盘,光盘等。其容量可达几百兆至几十个GB,又称 “海量存储器”,通常用来作后备存储器,存储各种程 序和数据,可长期保存,易于修改,要配置专用设备 我们只介绍内存,目前构成微机内存的主要是 半导体存储器
6.1 半导体存储器的分类 外存 外存,速度较慢,但要求容量大,如磁带,软盘, 硬盘,光盘等。其容量可达几百兆至几十个G B,又称 “海量存储器 ”,通常用来作后备存储器,存储各种程 序和数据,可长期保存,易于修改,要配置专用设备。 我们只介绍内存，目前构成微机内存的主要是 半导体存储器
6.1半导体存储器的分类 静态RAM 双极型RAM (SRAM) 随机 读写 动态RAM 存储器 (DRAM) MS型RAM (RAM) 组合RAM 半导体存储器 IRAM 非易失RAM 掩膜ROM (NVRAM 可编程ROM 只读 (PRoM) 存储器 (ROM) 可擦除的PROM (EPROM 电可擦除的PROM (E2PROM
6.1 半导体存储器的分类
6.1.1随机读写存储器(RAM) ■RAM 随机读写存储器可随时在任一地址单元读出信 息或写入新信息 双极型RAM,读写速度高,但集成度低,功耗高 微机中几乎都用M0S型RAM。 返回
6.1.1 随机读写存储器(RAM) RAM 随机读写存储器可随时在任一地址单元读出信 息或写入新信息。 双极型R A M,读写速度高,但集成度低,功耗高。 微机中几乎都用MOS型RAM。 返回
6.1.1随机读写存储器(RAM) ■M0S型RAM 1.静态RAM(即SRAM,其存储电路以双稳态触发器 为基础,状态稳定,只要不掉电,信息不会丢失,但集成 度低 2.动态RAM(即DRAM,存储单元电路以电容为基础, 电路简单,集成度高,功耗低,因电容漏电,需定时刷新。 3.组合RAM(即IRAM,附有片上刷新逻辑的DRAM, 兼有SRAM和DRAM的优点。 返回
6.1.1 随机读写存储器(RAM) MOS型RAM ⒈静态R A M(即S R A M ),其存储电路以双稳态触发器 为基础,状态稳定,只要不掉电,信息不会丢失,但集成 度低。 ⒉动态R A M(即D R A M ),存储单元电路以电容为基础, 电路简单,集成度高,功耗低,因电容漏电,需定时刷新 。 ⒊ 组 合 RAM( 即IRAM),附有片上刷新逻辑的D R A M, 兼有SRAM和DRAM的优点。 返回
6.1.1随机读写存储器(RAM) ■M0S型RAM 4.非易失RAM(即 NVRAM 它是由SRM和EPRM共同构成的存储器,正常运 行时和SRAM一样,而在掉电或电源故障时,把SRAM的信 息保存在EPR0M中, NVRAM多用于存储非常重要的信息 和掉电保护 返回
6.1.1 随机读写存储器(RAM) MOS型RAM ⒋非易失RAM(即NVRAM) 它是由S R A M和E 2 P R O M共同构成的存储器,正常运 行时和S R AM一样,而在掉电或电源故障时,把S R A M 的 信 息保存在E 2 P R OM中,N V R A M多用于存储非常重要的信息 和掉电保护。 返回
6.1.2ROM的种类 ■ROM 只读存储器R0M在使用过程中,只能读出存储的 信息,而不能用通常的方法写入信息,分为如下几种 掩膜R0M,按用户要求掩膜制成,只能读,无法 再改写,适合存储成熟的程序,大量生产时,成本低 2.可编程ROM(PROM,为空白存储器,用户一次性 写入,写入后不能更改,适合批量生产 3.可擦除的PR0M( EPROM),用户按规定方法可多 次改写内容,改写时先用紫外线擦除,适合于研制和 开发
6.1.2 ROM的种类 ROM 只读存储器R O M在使用过程中,只能读出存储的 信息,而不能用通常的方法写入信息,分为如下几种: ⒈掩膜R O M,按用户要求掩膜制成,只能读,无法 再改写,适合存储成熟的程序,大量生产时,成本低。 ⒉可编程R O M(PROM),为空白存储器,用户一次性 写入,写入后不能更改,适合批量生产 。 ⒊ 可 擦 除 的 PROM(EPROM),用户按规定方法可多 次改写内容,改写时先用紫外线擦除,适合于 研 制 和 开发
6.1.2ROM的种类 ■ROM 4.电可擦除的PROM(2PR0M,能以字节为单位进 行擦除和改写,并可直接在机器内进行擦除和改写, 方便灵活 5、闪速存储器( Flash Memory)是80年代末推出 的新型存储芯片,它的主要特点是在掉电情况下可长 期保存信息,具有非易失性,原理上看象R0M;但又 能在线进行快速擦除与改写,功能上象RAM,因此兼有。 巸2PROM和SRAM的优点。其集成度与价格己接近EPR0M, 是替代 EPROM和E2PROM的理想器件
6.1.2 ROM的种类 ROM ⒋电可擦除的PROM(E 2PROM),能以字节为单位进 行擦除和改写,并可直接在机器内进行擦除和改写, 方便灵活。 5、闪速存储器(Flash Memory)是80年代末推出 的新型存储芯片,它的主要特点是在掉电情况下可长 期保存信息,具有非易失性，原理上看象ROM；但又 能在线进行快速擦除与改写,功能上象RAM,因此兼有。 E2PROM和SRAM的优点。其集成度与价格己接近EPROM， 是替代EPROM和E2PROM的理想器件
