888 ●○ 晶闸管的派生器件 >双向晶闸管 >逆导晶闸管 >快速晶闸管 >光控晶闸管
晶闸管的派生器件 ➢ 双向晶闸管 ➢ 逆导晶闸管 ➢ 快速晶闸管 ➢ 光控晶闸管
●○ 一、双向晶闸管 1、结构：五层(NPNPN)三端的硅半导体闸流元件。 KS5-20A螺栓型 ■螺栓式 ■平板式
一、双向晶闸管 1、结构：五层(NPNPN)三端的硅半导体闸流元件。 ◼ 螺栓式 ◼ 平板式
的 ●● ● 一、双向晶闸管 1、结构：五层(NPNPN)三端的硅半导体闸流元件。 相当于两个门极接在一起的普通晶闸管反并联
一、双向晶闸管 1、结构：五层(NPNPN)三端的硅半导体闸流元件。 相当于两个门极接在一起的普通晶闸管反并联。 T1 T2 G G T1 T2 G
白 88 ● 900 ● 一、双向晶闸管 2、特性 T1为正 T2为负 IG=0 T1为负 Ⅲ T2为正
一、双向晶闸管 2、特性 U I Ⅰ Ⅲ IG=0 T1为正 T2为负 T1为负 T2为正
888 ●0 ● 一、双向晶闸管 T1为正 2、特性 TT2为负 触发方式 【,触发：T1为正，T2为负：门极为正，T2为负。 【触发：T1为正，T2为负：门极为负，T2为正。 n 瓜+触发：T1为负，T2为正：门极为正，T2为负。 T1为负 重触发：T1为负，T2为正；门极为负，T2为正。 T2为正 常用触发方式：I+、血
一、双向晶闸管 2、特性 U I Ⅰ Ⅲ IG=0 T1为正 T2为负 T1为负 T2为正 触发方式 Ⅰ+触发：T1为正，T2为负；门极为正，T2为负。 Ⅰ-触发：T1为正，T2为负；门极为负，T2为正。 Ⅲ+触发：T1为负，T2为正；门极为正，T2为负。 Ⅲ-触发：T1为负，T2为正；门极为负，T2为正。 常用触发 方式：Ⅰ+ 、Ⅲ-
电 ●● ● 一、双向晶闸管 3、参数及型号 主要参数与普通晶闸管基本一致。 IT(RSM:)额定通态电流。其额定电流是用有效值定义的。 系列 KS1 KS10 KS20 KS50 KS100 KS200KS400KS500 IT(RSM) 1 10 20 50 100 200 400 500
一、双向晶闸管 3、参数及型号 主要参数与普通晶闸管基本一致。 IT(RSM)：额定通态电流。其额定电流是用有效值定义的。 系列 KS1 KS10 KS20 KS50 KS100 KS200 KS400 KS500 IT(RSM) 1 10 20 50 100 200 400 500
忽 88 ● 900 一、双向晶闸管 3、参数及型号 UDRM:断态重复峰值电压（额定电压）。应用时通常取两倍的裕量 等级 1 3 5 6 7 8 12 14 16 18 0 UDRM(V)100 200 300400500 600 700 800 900 1000 1200 1400 16001800 2000
一、双向晶闸管 3、参数及型号 UDRM：断态重复峰值电压(额定电压) 。应用时通常取两倍的裕量。 等级 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 UDRM(V) 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1200 1400 1600 1800 2000
888 ●○ 8 一、双向晶闸管 3、参数及型号 其它参数 断态电压临界上升率分级规定 等级 0.2 0.5 5 du/dt 220 250 2200 2500 (Vμs) 换向电流临界下降率(di/dt)的规定 等级 0.2 0.5 1 di/dt ≥0.2%TRsM 20.5%IT(RSM) 21%IT(RSM) (μs)
一、双向晶闸管 3、参数及型号 其它参数 等级 0.2 0.5 2 5 du/dt (V/μs) ≥20 ≥50 ≥200 ≥500 等级 0.2 0.5 1 di/dt (A/μs) ≥0.2%IT(RSM) ≥0.5%IT(RSM) ≥1%IT(RSM) 断态电压临界上升率分级规定 换向电流临界下降率(di/dt)的规定
88888 ●● . ● 一、双向晶闸管 3、参数及型号 K S 口一口一口口 电流临界下降率等级数 断态电压临界上升率级数 断态重复峰值电压级数 额定通态电流值（正弦有效值） 双向 闸流特性
一、双向晶闸管 3、参数及型号 K S 电流临界下降率等级数 断态电压临界上升率级数 断态重复峰值电压级数 额定通态电流值(正弦有效值) 双向 闸流特性
888 900 二、逆导晶闸管 将普通晶闸管和整流二极管集成的器件。 3-
二、逆导晶闸管 将普通晶闸管 和整流二极管集成的器件。 A K G A K G U I IG=0