浅曹隔离工艺 ST槽刻蚀 1)隔离氧化层 2)氮化物淀积 3)第三层掩膜,浅曹隔离 4)ST槽刻蚀 (氮化硅的作用:坚固的掩膜材料,有助于在ST氧化物淀积 过程中保护有源区;在CMP中充当抛光的阻挡材料。) Selective etching opens isolation regions in the epi layer. Films Polish ( Photoresist (2) Nitride Diffusion Photo Etch p-well STI Implant p-Epitaxial layer p+ Silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9.10 by michael Quirk and Julian Serda半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 二、浅曹隔离工艺 STI 槽刻蚀 1）隔离氧化层 2）氮化物淀积 3）第三层掩膜，浅曹隔离 4）STI槽刻蚀 （氮化硅的作用：坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积 过程中保护有源区；在CMP中充当抛光的阻挡材料。） Thin Films 1 2 Photo Polish Etch Implant Diffusion 3 4 +Ions Selective etching opens isolation regions in the epi layer. p+ Silicon substrate p- Epitaxial layer n-well p-well 3 Photoresist 2 Nitride 4 1 Oxide STI trench Figure 9.10