中国科学技术大学物理系微电子专业 ·高K栅介质和金属栅电极的需求 利用高K栅介质替代SiO2作为栅介质层材料,由于在维持相 同等效氧化层厚度的情形下,可使用厚的介质层厚度,从而 显著减小量子直接隧穿效应引起的栅泄漏电流。 等效氧化层厚度( Equivalent Gate Oxide thickness,EoT)是指 厚度为t介电常数为cmn的介质 材料等效为SiO2对应的厚度: Source Drain High K Gate Dielectric EOT=t= Semiconductor Devices 2021/2/8中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 6 Semiconductor Devices