中国科学技术大学物理系微电子专业 理论计算和实验结果均证实与SiO2栅介质相比,采用高K栅 介质后,在相同的EOT下,栅泄漏电流可显著减小 EOT=1.0nm N=5×1017cm Poly SI/SIO Naate=1x10cm Benchmark SiN ALO CT 10F fO, n-MOSCAP TiO Y2 03 WO surface nitridation 2.0 3.0 0812162024 EOT(nm) 各种高K介质材料及SiO栅泄漏实验测量的高K栅介质与 电流的理论计算结果 SiO2栅泄漏电流比较 Semiconductor Devices 2021/2/8中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 7 Semiconductor Devices