中国科学技术大学物理系微电子专业 ·实验结果表明,在进行折衷的过程中,源、漏结的参数, 尤其是结深、Rs和结的突变性是至关重要的因素。尽管 这种经验方法不是很理想,而且难以符合基于基本物理规 律的按比例缩小规则,但是这种经验方法更准确、更实用 些。这是由于当器件横向尺寸的变化使器件的纵、横向 以及其他各方向上的参数错综复杂地相互作用时,器件的 三维特性越加突出;同时由于基本物理极限的限制,对亚 0.lμum器件的进一步缩小变得非常困难,这主要包括超薄 栅氧化层的制作;源、漏超浅结的形成以及小尺寸器件必 须在很低的电源电压下工作所带来的问题等。截至目前为 止,器件和ULSⅠCMOS工艺发展的实际情况是器件的各 个部分都在缩小。 Semiconductor Devices 2021/2/8中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 8 Semiconductor Devices • 实验结果表明，在进行折衷的过程中，源、漏结的参数， 尤其是结深、RSD和结的突变性是至关重要的因素。尽管 这种经验方法不是很理想，而且难以符合基于基本物理规 律的按比例缩小规则，但是这种经验方法更准确、更实用 一些。这是由于当器件横向尺寸的变化使器件的纵、横向 以及其他各方向上的参数错综复杂地相互作用时，器件的 三维特性越加突出；同时由于基本物理极限的限制，对亚 0.1μm器件的进一步缩小变得非常困难，这主要包括超薄 栅氧化层的制作；源、漏超浅结的形成以及小尺寸器件必 须在很低的电源电压下工作所带来的问题等。截至目前为 止，器件和ULSI CMOS工艺发展的实际情况是器件的各 个部分都在缩小