中国科学技术大学物理系微电子专业 二、现代MOS器件的一些物理效应 短沟道效应(SCE) 微小尺寸效应,狭义的定义,是指随沟道 缩短,阈值电压减小(n沟)或增大(p沟) 的效应( TRoll off)。 Vr roll of现象包括ⅤD很低时测定Ⅴ随Ig 变化和VD很高时随Lg的变化。 Semiconductor Devices 2021/2/8中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 9 Semiconductor Devices 二、现代MOS器件的一些物理效应 • 短沟道效应（SCE） 微小尺寸效应，狭义的定义，是指随沟道 缩短，阈值电压减小（n沟）或增大（p沟） 的效应（VT roll off）。 VT roll off现象包括VDS很低时测定VT随Lg 变化和VDS很高时VT随Lg的变化