中国科学技术大学物理系微电子专业 栅氧化层厚度缩小的物理限制 随器件特征尺寸的缩小,沟道长度、栅氧化层厚度、源漏与 沟道结深尺度需要按比例缩小(LαTaxX3)。当栅氧化层厚 度缩小到2nm以下时,量子直接隧穿效应将变得非常显著。 E+03 E+02 SiO2 Gate Leakage Gate +01 (from literature) Cate Oxide E+00 E-01 E-02 Source Drail E-03 E-04 E-05 E-06 5 10 15 Physical Tox Semiconductor Devices 2021/2/8中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 5 Semiconductor Devices