中国科学技术大学物理系微电子专业 按比例缩小( Scaling down)的规则 不断缩小器件特征尺寸,是半导体集成电路技术发展的基本规律 90nm Node 20365moe 为维持好的器 2005 件特征,保证 45nm Node 栅对沟道载流 2007 32nm Node 2 子分布的有效 2009 控制,MOS器 22nm Node 50nm Length 2011 件特征尺寸在 EDM2002)30m 25m 16 nm nod 缩小过程中 Prototype 2013 (EDM2000) 20nm Prototype 各结构参数需 Lsi2001) 要遵循一定的 15nm Prototype (EDM2001) 规律,即按比 10nm Prototype 7nm [DRc2003 例缩小规则。 Semiconductor Devices 2021/2/8中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 4 Semiconductor Devices