4.1.2多晶硅的简化能带结构 1.晶界陷阱模型 (1)多晶硅薄膜中晶粒大小一致，是长度为L的立方体结构，周围被晶界包围，与晶粒 长度L相比，晶界厚度忽略不计： (2)总的掺杂浓度为ND,是单一n型（或p型）掺杂。以替位方式掺入晶粒内的掺杂浓 度为N©，且具有与单晶硅类似的激活能，对于非重掺杂情况，杂质在室温下全部电离： (3)分凝在晶界处的杂质浓度为NG,且全部为非电离状态，不影响多晶硅电导率； (4)处于晶界的陷阱面密度为Nt,陷阱能级Et是分离的（以能带中央为零点），在未 俘获载流子时为电中性。 NG 杂质分凝 参与导带 杂质在晶粒间界处分凝，直到晶粒 Np 间界处得到饱和为止。分凝在晶界 的杂质在电学上是不激活的 NGB4.1.2 多晶硅的简化能带结构 （1）多晶硅薄膜中晶粒大小一致，是长度为L的立方体结构，周围被晶界包围，与晶粒 长度L相比，晶界厚度忽略不计； （2）总的掺杂浓度为ND，是单一n型（或p型）掺杂。以替位方式掺入晶粒内的掺杂浓 度为NG，且具有与单晶硅类似的激活能，对于非重掺杂情况，杂质在室温下全部电离； （3）分凝在晶界处的杂质浓度为NGB，且全部为非电离状态，不影响多晶硅电导率； （4）处于晶界的陷阱面密度为Nt，陷阱能级Et是分离的（以能带中央为零点），在未 俘获载流子时为电中性。 1. 晶界陷阱模型 杂质分凝 杂质在晶粒间界处分凝，直到晶粒 间界处得到饱和为止。分凝在晶界 的杂质在电学上是不激活的 ND NG NGB N NT s 参与导带