晶界 √晶界：非晶硅，费米能级被钉扎，异质结 晶粒 载流子陷阱： (a)晶体结构 ·晶粒间界存在大量悬挂键和缺陷态。 晶粒间的杂质电离产生的载流子首先被 陷阱态浮获，减少了参与导电的自由载 流子的数日。 L/2 L12 (6)电荷分布 ·陷阱在俘获载流子之后在其周围形成一 个多子势区(qVb),阻挡载流子从一 个晶粒向另一个晶粒运动，导致载流子 E- (a) 能带结构 迁移率下降. 型参杂，晶界中的陷阱态俘获晶粒中的空穴后产生荷电Q+,在邻近晶界的晶粒中产生 相应的载流子耗尽区，即多子势垒区以维持电中性。这个势垒区的宽度和势垒高度qV 由荷电的陷阱密度所调控 晶界：非晶硅，费米能级被钉扎，异质结  载流子陷阱： • 晶粒间界存在大量悬挂键和缺陷态。 • 晶粒间的杂质电离产生的载流子首先被 陷阱态浮获，减少了参与导电的自由载 流子的数目。 • 陷阱在俘获载流子之后在其周围形成一 个多子势区（qVb），阻挡载流子从一 个晶粒向另一个晶粒运动，导致载流子 迁移率下降． 晶 界 晶 粒 (a) 晶体结构 (b) 电荷分布 (a) 能带结构 p型掺杂，晶界中的陷阱态俘获晶粒中的空穴后产生荷电QT +，在邻近晶界的晶粒中产生 相应的载流子耗尽区，即多子势垒区以维持电中性。这个势垒区的宽度l和势垒高度qVb 由荷电的陷阱密度所调控