§4.3刻蚀 光刻胶：根据曝光前后溶解特性的变化，分为正胶和负胶。 正胶：曝光前不可溶，曝光后可溶 负胶：曝光前可溶，曝光后不可溶 正光刻胶特点 UV 过 Hardened -Reticle resist layer ☒ Transmitted light Wafer Wafer (a)Exposure pattern (b)After development and rinsing Figure 4.12 Characteristics of positive photoresist 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 19 §4.3刻蚀 例：氧化层刻蚀 Hardened resist layer Patterned oxide layer Oxide layer Substrate Substrate (a)Initial patterning of resist (b)After etching process Figure 4.13 Etching of an oxide layer 工艺步骤：甩胶→曝光→显影→刻蚀→去胶 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 202018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 19 §4.3 刻蚀 正光刻胶特点 光刻胶：根据曝光前后溶解特性的变化，分为正胶和负胶。 正胶：曝光前不可溶，曝光后可溶 负胶：曝光前可溶，曝光后不可溶 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 20 §4.3 刻蚀 例：氧化层刻蚀 工艺步骤：甩胶→曝光→显影→刻蚀→去胶