·1050 工程科学学报，第43卷.第8期 R VEE VEE U VCC M AD633JN R VEE VCC VEE We) VEE VEE 图2忆阻系统(1)的电路结构图 Fig.2 Circuit structure diagram of memristive system(1) 23a 2.3 2.3 DC-350 A.m (b) (c) 2.2 2.2 2.2 1.9 1.9 1.9 1.8 300600900120015001800 1.800620640660680700 150015201540156015801600 Time/s Time/s Time/s 图3铅合金阳极的恒电流极化曲线（直流）.(b.c)为(a)的局部放大图 Fig.3 Galvanostatic polarization of lead alloy anode(direct current),(b,c)is a local enlargement of(a) 图6为两种电流极化下电位-时间振荡曲线的 混沌电流极化的振荡振幅比直流极化的振荡振幅 振荡振幅随时间的变化情况.两种电流极化作用 小，平均振幅降低38mV.从振荡周期和振幅的结 下，振荡振幅均随着极化时间的延长而呈现增大 果可知，超混沌电流极化作用下，电解锰阳极的电 趋势，极化30min后，直流极化和超混沌电流极化 位-时间的振荡行为得到了一定程度的抑制，这将 的振荡振幅分别为176mV和165mV.整体上超 有利于降低电解过程阳极泥的产生以及额外能耗图 6 为两种电流极化下电位−时间振荡曲线的 振荡振幅随时间的变化情况. 两种电流极化作用 下，振荡振幅均随着极化时间的延长而呈现增大 趋势，极化 30 min 后，直流极化和超混沌电流极化 的振荡振幅分别为 176 mV 和 165 mV. 整体上超 混沌电流极化的振荡振幅比直流极化的振荡振幅 小，平均振幅降低 38 mV. 从振荡周期和振幅的结 果可知，超混沌电流极化作用下，电解锰阳极的电 位−时间的振荡行为得到了一定程度的抑制，这将 有利于降低电解过程阳极泥的产生以及额外能耗. R1 C1 C3 C2 C4 R16 R15 R11 V1 R12 D3 R10 R9 R13 R14 R2 U6 R3 R4 R5 R6 R7 VCC VEE VEE VEE VCC VCC VCC VCC VCC VEE AD633JN AD633JN Wx Wz VEE VCC x −x −x −x y −x x −x y y VEE VEE VCC VCC x u u W(z) X1 VS+ VS− W Z X2 Y1 Y2 U7 X1 VS+ VS− W Z X2 Y1 Y2 z z VEE VEE 图 2    忆阻系统（1）的电路结构图 Fig.2    Circuit structure diagram of memristive system (1) 0 300 600 900 Time/s Time/s Time/s 1200 1500 1800 2.3 (a) 2.2 2.1 2.0 1.9 1.8 2.3 (b) (c) 2.2 2.1 2.0 1.9 1.8 Potential/V Potential/V 2.3 2.2 2.1 2.0 1.9 1.8 Potential/V DC-350 A·m−2 600 620 640 660 680 700 1500 1520 1540 1560 1580 1600 图 3    铅合金阳极的恒电流极化曲线（直流），（b,c）为（a）的局部放大图 Fig.3    Galvanostatic polarization of lead alloy anode (direct current), (b,c) is a local enlargement of (a) · 1050 · 工程科学学报，第 43 卷，第 8 期