因此带来以下一些问题： ①小尺寸器件的阈电压过低，造成噪声容限低 以及器件截止态时电导过大（亚阈电导效应）； ②互连线电流密度按k因子增大，引起可靠性 问题（金属电迁移效应）； ③ 互连线上相对电压降及接触电压降按k因子 增大，引起电路性能下降； ④为限制短沟道效应，传统器件要求沟道掺杂 达到或超过1018cm3,杂质散射使载流子迁移率退化； ⑤栅氧厚度已经大大缩小到3nm,这已非常接 近SiO,接开始直接隧穿的极限；； ⑥由于PN结内建电势V不按k比例因子缩小， 导致耗尽层宽度不按比例缩小。因此带来以下一些问题： ①小尺寸器件的阈电压过低，造成噪声容限低 以及器件截止态时电导过大(亚阈电导效应)； ②互连线电流密度按k因子增大，引起可靠性 问题(金属电迁移效应)； ③互连线上相对电压降及接触电压降按k因子 增大，引起电路性能下降； • ④为限制短沟道效应，传统器件要求沟道掺杂 达到或超过10 18cm-3 , 杂质散射使载流子迁移率退化； • ⑤栅氧厚度已经大大缩小到3nm，这已非常接 近SiO2接开始直接隧穿的极限；； ⑥由于PN结内建电势Vbi不按k比例因子缩小， 导致耗尽层宽度不按比例缩小。 4