希望缩小却不能缩小的参数： 衬底掺杂浓度N,等效热电压kT%,等效氧化层 电荷密度Qox,功函数差pMs,PN结内建电势Vi, 亚阈电流斜率S,介质和硅的临界电场强度，载流 子碰撞电离率以及某些工艺参数的误差等 。 不希望缩小却缩小的参数： 场氧化层尺寸（希望尽可能大，以减小寄生电容） 互连线尺寸（希望尽可能大，以减缓电阻的增加） 接触孔的面积（希望尽可能大，以减少寄生串联电阻 )等等。希望缩小却不能缩小的参数： 衬底掺杂浓度NA，等效热电压kT/q，等效氧化层 电荷密度Qox，功函数差φMS，PN结内建电势Vbi， 亚阈电流斜率S，介质和硅的临界电场强度，载流 子碰撞电离率以及某些工艺参数的误差等。 不希望缩小却缩小的参数： 场氧化层尺寸(希望尽可能大，以减小寄生电容) 互连线尺寸(希望尽可能大，以减缓电阻的增加) 接触孔的面积(希望尽可能大，以减少寄生串联电阻 )等等。 3