第三章12位，100兆DAC各部分的设计和仿真 镜像放置以抵消温度译码的各位的一次和二次性梯度。这可以从图3.3中构成每 个线性电流源的16个晶体管的放置看出。各子阵列中剩下的晶体管用作5LSB的 二进制电流源和输入偏置电流镜，未连接的晶体管用作去耦。 图3.2电流源阵列 采用这种版图结构，温度计译码的7MSB就由16个20um/8um的晶体管构 成。即每个子电流源的尺寸是LSB电流源晶体管的2倍，这样能减小由于MSB 和LSB尺寸差异引起的误差。 3)电流源的输出阻抗 有限的输出阻抗会限制DAC的积分非线性[3]，表达式如下： INL IisoR'N2 4。 R,是输出的负载电阻，N是电位电流源的个数，，是从开关管漏端看进去 的输出阻抗。所以应设计r,足够大以满足WL=0.5LSB的范围。 如图3.3所示后2种结构都能增大电流源输出电阻。 G 2M2 M2 图3.3a单管 b cascade c double cascade 6第三章 12 位，100 兆 DAC 各部分的设计和仿真 15 镜像放置以抵消温度译码的各位的一次和二次性梯度。这可以从图3.3中构成每 个线性电流源的16个晶体管的放置看出。各子阵列中剩下的晶体管用作5LSB的 二进制电流源和输入偏置电流镜，未连接的晶体管用作去耦。 图3.2 电流源阵列 采用这种版图结构，温度计译码的 7MSB 就由 16 个 20um/8um 的晶体管构 成。即每个子电流源的尺寸是 LSB 电流源晶体管的 2 倍，这样能减小由于 MSB 和 LSB 尺寸差异引起的误差。 3）电流源的输出阻抗 有限的输出阻抗会限制 DAC 的积分非线性[3]，表达式如下： 2 2 4 LSB L o I R N INL r = RL是输出的负载电阻，N 是电位电流源的个数， or 是从开关管漏端看进去 的输出阻抗。所以应设计 or 足够大以满足 INL LSB = ±0.5 的范围。 如图 3.3 所示后 2 种结构都能增大电流源输出电阻。 out I M1 VG1 out I M1 VG1 M 2 VG2 out I M1 VG1 M 2 VG2 VG3 M 3 图 3.3 a 单管 b cascade c double cascade