第三章12位，100兆DAC各部分的设计和仿真 根据晶体管电流电压平方律关系，又有： W 21ISB L B(Vas-V,)2 所以 ( 44m (Vas-V) +A2B)0.5 WL= CIISB T下sB W 21ISB L B(Vas-V,) 当确定过驱动电压后就能求出满足要求的晶体管的尺寸。由于晶体管面积与 电流源过驱动电压成反比，且过驱动电压越大晶体管等效输入噪声越小，故给定 'as-V=500w计算得出LSB晶体管尺寸： W=10u,L=8u 这样温度计译码的7MSB电流源晶体管尺寸为10*32um/8um. 2)电流源阵列 正如前面提到的，由于芯片制造过程中的一些随机或非随机因素，使版图上 完全匹配的MOS电流源，在实际芯片中也存在着匹配误差。另外，由于芯片面 积越来越大，相距较远的两点处的电流源晶体管之间也存在梯度误差，为了减小 这些误差，应从电路和版图设计两方面进行考虑。 本文中设计的电流源阵列如图3.2所示1]，其中包括线性电流源，二进制电 流源，和输入电流镜。电流源阵列被分为包含132个晶体管的16个子阵列。每个 子阵列中都包含7MSB的127个线性电流源。 失配误差的随机化可以改善静态线性度并且能通过减小spurious spectrall成 分的幅度以改善动态特性。为了对电流源误差进行随机化，各子阵列中的电流源 随机放置的方法如图3.3中左上角的子阵列所示。各子阵列在整个电流源阵列中第三章 12 位，100 兆 DAC 各部分的设计和仿真 14 根据晶体管电流电压平方律关系，又有： 2 2 ( ) LSB GS t W I L β V V = − 所以 2 2 2 2 2 2 4 ( )0.5 ( ) 2 ( ) Vt GS t LSB LSB LSB GS t A A V V WL I I W I L VV β σ β ⎧ ⎫ + ⎪ ⎪ − = ⎨ ⎬ ⎪ ⎪ = ⎩ ⎭ − 当确定过驱动电压后就能求出满足要求的晶体管的尺寸。由于晶体管面积与 电流源过驱动电压成反比，且过驱动电压越大晶体管等效输入噪声越小，故给定 500 V V mv GS t − = 计算得出 LSB 晶体管尺寸： W=10u，L=8u 这样温度计译码的 7MSB 电流源晶体管尺寸为 10*32um/8um。 2） 电流源阵列 正如前面提到的，由于芯片制造过程中的一些随机或非随机因素，使版图上 完全匹配的MOS电流源，在实际芯片中也存在着匹配误差。另外，由于芯片面 积越来越大，相距较远的两点处的电流源晶体管之间也存在梯度误差，为了减小 这些误差，应从电路和版图设计两方面进行考虑。 本文中设计的电流源阵列如图3.2所示[1]，其中包括线性电流源，二进制电 流源，和输入电流镜。电流源阵列被分为包含132个晶体管的16个子阵列。每个 子阵列中都包含7MSB的127个线性电流源。 失配误差的随机化可以改善静态线性度并且能通过减小spurious spectral成 分的幅度以改善动态特性。为了对电流源误差进行随机化，各子阵列中的电流源 随机放置的方法如图3.3中左上角的子阵列所示。各子阵列在整个电流源阵列中