第三章12位，I00兆DAC各部分的设计和仿真 其中A是阈值电压标准偏差的面积比例因子，它由具体的工艺决定。W,L 分别是MOS管的沟道宽度和沟道长度。O1B是B系数相对误匹配（△B1B) 的标准差，它可以表示为 OABIB=- WL 其中，A是B系数的面积比例因子，B是常数。它们也由具体的工艺决定。 所以，根据以上推导可得 o'ls4(oVi) B P'IsB (VGs-V)B2 又根据12]中提取的公式算出的当WL=0.5LSB时99.7%的成品率的LSB 相对标准偏差： a1<105=0.25% ILSB 2N 3.1 结合由失配模型推导的公式，得出LSB电流源晶体管的面积要求： 4n+B)0.5 WL=- (Vas-V) 621s P1SB 表3.1工艺失配参数 参数 数值 单位 An 5.85 v·lm An 1.52 %·4m 3第三章 12 位，100 兆 DAC 各部分的设计和仿真 13 其中 AVt 是阈值电压标准偏差的面积比例因子，它由具体的工艺决定。W，L 分别是 MOS 管的沟道宽度和沟道长度。σ Δβ / β是β 系数相对误匹配（Δβ / β ） 的标准差，它可以表示为 / A B WL β σ Δββ β = + 其中，Aβ是β 系数的面积比例因子，Bβ是常数。它们也由具体的工艺决定。 所以，根据以上推导可得 2 2 2 2 2 4( ) ( ) LSB LSB GS t I Vt I VV σ σ σ β β = + − 又根据[12]中提取的公式算出的当 INL LSB = ±0.5 时 99.7%的成品率的 LSB 相对标准偏差： 1 0.5 0.25% 2 3.1 LSB N LSB I I σ < = 结合由失配模型推导的公式，得出LSB电流源晶体管的面积要求： 2 2 2 2 2 4 ( )0.5 ( ) Vt GS t LSB LSB A A V V WL I I β σ + − = 表 3.1 工艺失配参数 参数 数值 单位 AVt 5.85 mv m ⋅μ Aβ 1.52 % ⋅μm