光刻的工艺流程 1、清洁处理：清洁的表面才能与光刻胶有良好的粘附； 2、涂胶：在待光刻的硅片表面均匀地涂上一层光刻胶。 要求粘附良好，均匀； 3、前烘：使光刻胶干燥，以增强胶膜与硅片表面的粘附 性和胶膜耐磨性，同时使曝光时能进行充分的光化学反应； 4、曝光及显影：在曝过光的硅片表面的胶膜上显影出与 掩膜版相同（正性光刻胶）或相反（负性光刻胶）的图形， 显影后的硅片必须严格检查，以保证光刻的质量 5、坚膜：使胶膜与硅片之间紧密粘附，防止胶层脱落， 同时增强胶膜本身的抗蚀能力； 6、腐蚀：以坚膜后的光刻胶作为掩蔽层，对衬底进行干 法或湿法腐蚀，使之得到与光刻胶膜图形相应的图形： 7、去胶：以干法或湿法去除光刻胶膜。1、清洁处理：清洁的表面才能与光刻胶有良好的粘附； 2、涂胶：在待光刻的硅片表面均匀地涂上一层光刻胶。 要求粘附良好，均匀； 3、前烘：使光刻胶干燥，以增强胶膜与硅片表面的粘附 性和胶膜耐磨性，同时使曝光时能进行充分的光化学反应； 4、曝光及显影：在曝过光的硅片表面的胶膜上显影出与 掩膜版相同（正性光刻胶）或相反（负性光刻胶）的图形， 显影后的硅片必须严格检查，以保证光刻的质量； 5、坚膜：使胶膜与硅片之间紧密粘附，防止胶层脱落， 同时增强胶膜本身的抗蚀能力； 6、腐蚀：以坚膜后的光刻胶作为掩蔽层，对衬底进行干 法或湿法腐蚀，使之得到与光刻胶膜图形相应的图形； 7、去胶：以干法或湿法去除光刻胶膜