导电媒质中单位体积功率损耗为 △P =J·E=2——焦耳定律的微分形式 体积为Ⅴ的导电媒质内的损耗功率为 P=E·J-—焦耳定律的积分形式 四、恒定电场边界条件 J的边界条件 E的边界条件 5E·d=0→E×=E2×分=En=E 电位边界条件 02=1an Y2 an=0 1-92 讨论:想8=gB2g互 g62y2 若y2→∞,则a→>0 △在理想导体表面上,E和了都垂直于边界面。 静电场和性质的比较: 相同点: 不同点 场性质相同,均为保守场; 1、源不同; 2、场不随时间改变 2、存在区域不同,静电场只能 3、均不能存在于理想导体内部。 存在于导体外,恒定电场可 以存在于非理想导体内 静电场 恒定电场 静电比拟 5Dd=0 J·ds=0 DeJ E·d=0 「E·dl=0 EAE E(>y J=yE CeG 33恒定磁场分析 331真空中恒定磁场基本方程导电媒质中单位体积功率损耗为 2 J E E V P p = • =    =   ——焦耳定律的微分形式 体积为 V 的导电媒质内的损耗功率为  = • v P E Jdv   ——焦耳定律的积分形式 四、恒定电场边界条件 J  的边界条件 n n s J ds J J n J J 1 2 0 1 2 • = 0  ( − ) • ˆ =  =      E  的边界条件 t t l E dl E1 n E2 n E1 E2 • = 0   ˆ =  ˆ  =      电位边界条件     − =   =   1 2 0 1 1 2 2       n n 讨论： 2 1 2 1 2 2 1 1         =  = tg tg tg tg 若  2 →  ，则 1 →0  在理想导体表面上， E  和 J  都垂直于边界面。 静电场和性质的比较： 相同点： 不同点： 1、场性质相同，均为保守场； 1、源不同； 2、场不随时间改变； 2、存在区域不同，静电场只能 3、均不能存在于理想导体内部。 存在于导体外，恒定电场可 以存在于非理想导体内 。 静电场 恒定电场 静电比拟 D E E dl D ds l s       =  • = • =   0 0 J E E dl J ds l s       =  • = • =   0 0 C G E E D J           3.3 恒定磁场分析 3.3.1 真空中恒定磁场基本方程