而$i是第三周期元素，内层电子较多，半径较大，生成p一 pπ键难度较大，而倾向于以一定杂化态形成尽可能多的单键，因 而常以单键同其它原子结合。 但是这种单键又不同于象C一O中的那种简单的单键，因为 Si有3d空轨道，3d空轨道的能级与3p相差不远，氧上2s22p4的孤 对电子可以反馈到Si的3d轨道上生成反馈的p一dπ键，这样一来 Si与氧之间就形成了一定程度的多重键，p一dπ键的键能比p一p π键的键能要小一些，所以就有了这样的能量次序： C=0 Si=0 Si-0 C-0 o十p一pπ o十p一p元 o+p-dπ 0 803 kJ.mol-l 640 464 360 这样，Si一O单键（实际上是o十p一dπ）的键能比C-O单键 (纯σ)大就不难理解了。而Si是第三周期元素，内层电子较多，半径较大，生成p－ p键难度较大，而倾向于以一定杂化态形成尽可能多的单键，因 而常以单键同其它原子结合。 但是这种单键又不同于象C－O中的那种简单的单键，因为 Si有3d空轨道，3d空轨道的能级与3p相差不远，氧上2s 22p 4的孤 对电子可以反馈到Si的3d轨道上生成反馈的p－d键，这样一来 Si与氧之间就形成了一定程度的多重键，p－d键的键能比p－p 键的键能要小一些，所以就有了这样的能量次序： C＝O Si＝O Si－O C－O ＋p－p  ＋p－p  ＋p－d   803 kJ·mol－1 640 464 360 这样，Si－O单键(实际上是＋p－d)的键能比C－O单键 (纯)大就不难理解了