1 薄膜材料的物理汽相沉积-热蒸发 2 离子溅射镀膜 3 高温扩散和离子注入 4 薄膜材料的化学汽相沉积---CVD法 ５溶胶凝胶

一、基片 二、成膜工艺 三、性能检测

1.减反膜 2.滤光膜 3 保护膜 4 内反射 5 外反射 6 高反膜

复旦大学：立方氮化硼薄膜的制备与表征_立方氮化硼薄膜的制备及其相关应用展望

2.薄膜干涉(Thin- Film Interference) Color of oil slick Color of soap bubble a broad Source

17.3光程薄膜干涉 一、光程 光在真空中的速度c=1u1 光在介质中的速度u=1ucn

11-3光程薄膜干涉 一、光程 光在真空中的速度 光在介质中的速度

薄膜的聚集密度： P=薄膜中固体部分的体积：薄膜的总体积 薄膜的P在0.75～0.95之间，而大块材料P为1 牢固度和硬度、耐潮湿本领 下降、光的散射和吸收损失 加大导致耐激光损伤能力下 降，折射率随外界环境发生 变化

薄膜干涉:如阳光照射下的肥皂膜,水面上的油膜,蜻蜓、蝉等昆虫的翅 膀上呈现的彩色花纹,车床车削下来的钢铁碎屑上呈现的蓝色光谱等。 薄膜干涉的特点:厚度不均匀的薄膜表面上的等厚干涉和厚度均匀薄膜在无穷远出形 成的等倾干涉

用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在不同温度下对两种样品退火.结果表明:在NiCo厚度相同的情况下,以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致电阻(AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品.X射线衍射(XRD)的结果表明,NiFeCr/NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta/NiCo薄膜,且两种样品的磁膜/缓冲层界面存在较大差异,这可能是造成两者AMR差异的原因.此外,对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质