对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

光刻的目的和意义第四章已做过简单的描 述,这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准 备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性

一、薄膜图形化的光刻技术 二、光刻使用的等离子体刻蚀技术 三、 等离子体刻蚀机制 四、未来的纳米光刻技术

一、薄膜图形化的光刻技术 二、光刻使用的等离子体刻蚀技术 三、等离子体刻蚀机制 四、 未来的纳米光刻技术

一、薄膜图形化的光刻技术 二、光刻使用的等离子体刻蚀技术 三、等离子体刻蚀机制 四、未来的纳米光刻技术

首先搭建具有高精度面投影微立体光刻设备，通过理论分析和实验相结合的方法获得最优打印工艺参数，然后提出一种可用于模拟地层岩心的微球堆叠岩心模型，并通过分析岩心模型成型机理，选取具有更高成型精度的堆积方式对岩心模型进行设计。该模拟岩心制造方法具有对特殊岩心结构制造的高适应性，为实验室显微镜下研究多种EOR技术微观驱替机理提供了新思路

《塑料成型工艺与模具》课程教学资源（文献资料）SU8+5光刻胶的应用工艺研究

Chapter 1 导论 Chapter 2 集成电路工艺介绍 Chapter 3 半导体基础 Chapter4 晶圆制造 Chapter 5 加热工艺 Chapter 6 光刻工艺 Chapter 7 等离子体的基础 Chapter 8 离子注入 Chapter 9 蚀刻 Chapter 11 金属化工艺

《半导体工艺原理》课程教学课件（PPT讲稿）第6章 光刻工艺