第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

￾ 半导体载流子的有效质量 ￾ 杂质半导体 ￾ 热平衡载流子分布 ￾ 半导体的光吸收 ￾ 半导体界面特性 ￾ 典型半导体材料的能带结构 主要内容 学习提示 以下问题是难点，须认真学习和体会 ￾ 有效质量的物理意义 ￾ 杂质对半导体费米能级及导电性的影响 ￾ 半导体界面特性

本章将讨论在热平衡条件下，半导体的基本特性及其物理基础，主要包括：平衡半导体载流子分布的物理规律；掺杂对半导体性质的影响等问题。 §3.1 本征半导体和本征费米能级 §3.2 非本征半导体 §3.3 费米能级 §3.4 重掺杂半导体 §3.5 深能级杂质和多重能级杂质

2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体 半导体的导电机制 2.1 半导体的基本知识

2.1.1双极型半导体三极管的结构 2.1.2双极型半导体三极管电流的分配与控制 2.1.3双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5半导体三极管的参数 2.1.6半导体三极管的型号

§11.1 半导体发光二极管(LED) §11.2 半导体激光器概述 §11.3 半导体激光器原理 §11.4 半导体激光器特性 §11.5 同质结和异质结激光器 §11.6 分布反馈半导体激光器 §11.7 量子阱半导体激光器

§5-1 半导体的基本知识和探测器的工作原理 §5-2 能量测量半导体探测器 §5-3 半导体探测器的主要参量 §5-4 位置测量半导体探测器 §5-5 半导体探测器的应用

讨论在热平衡条件下,半导体的基本特性及其物理 基础,主要包括:平衡半导体载流子分布的物理规律;掺 杂对半导体性质的影响等问题。内容: §3.1本征半导体和本征费米能级 §3.2非本征半导体 §3.3费米能级 §3.4重掺杂半导体 §3.5深能级杂质和多重能级杂质

Y /半导体的导电特性 1. 本征半导体 半导体材料与PN结 (1.2.1) 导电性能介于导体（如铜、铁等）与绝缘体（如 石头、木头）之间； 主要有：Si（硅） Ge（锗） GaAs（砷化镓）； 影响半导体的导电性能： 温度、纯度。 纯净的半导体称为本征半导体